特許
J-GLOBAL ID：201303072446500502
光電変換装置の製造方法及び光電変換装置
発明者：
,
,
,
,
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (2件)：
藤田 考晴
, 上田 邦生
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-378875
公開番号（公開出願番号）：特開2005-142440
特許番号：特許第4938960号
出願日： 2003年11月07日
公開日（公表日）： 2005年06月02日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 単層または複数層の光電変換層を有しかつ少なくとも一層以上の前記光電変換層が微結晶シリコン薄膜によって構成される光電変換素子を用いた薄膜型光電変換装置の製造方法であって、
圧電素子光熱分光法を用いて同定した前記微結晶シリコン薄膜のバンドギャップが1.0eV以上1.5eV以下という第1選別条件を満たすとともに、
バンドギャップより低エネルギー側のバンドテイルが小さく、該バンドテイルの高エネルギー側の開始位置が1.8eV以下という第2選別条件を満たす光電変換素子を得るように前記光電変換素子の選別を行い、
この光電変換素子を用いて前記薄膜型光電変換装置を製造することを特徴とする薄膜型光電変換装置の製造方法。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L 31/04 V
, H01L 31/04 W
出願人引用 (5件)
全件表示
審査官引用 (7件)
全件表示
引用文献：
前のページに戻る
