特許
J-GLOBAL ID：201303087301975488

エンハンスメント型III-V族高電子移動度トランジスタ(HEMT)および製造方法

発明者：
ツィ ヒ

ツィ ヒ について


出願人/特許権者：
インターナショナル レクティフィアー コーポレイション

インターナショナル レクティフィアー コーポレイション について


代理人 (3件)： 杉村 憲司 ,  山口 雄輔 ,  川原 敬祐
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-122494
公開番号（公開出願番号）：特開2013-004967
出願日： 2012年05月29日
公開日（公表日）： 2013年01月07日
要約：
【課題】ノーマリオフ型、すなわちエンハンスメント型トランジスタであるIII族窒化物HEMTを提供する。【解決手段】エンハンスメント型高電子移動度トランジスタ(HEMT)400はIII-V族半導体412上に位置するIII-V族バリア層414を含むヘテロ接合416、およびIII-V族バリア層414上に形成され、P型III-V族ゲート層452を含むゲート構造462を具える。P型III-V族ゲート層452によりゲート構造462下での2次元電子ガス(2DEG)の発生を防ぐ。エンハンスメント型HEMT400を製造する方法は、基板402を設け、基板402にIII-V族半導体412を形成し、III-V族半導体412上にIII-V族バリア層414を形成し、III-V族バリア層414上にP型III-V族ゲート層452を含むゲート構造462を形成する。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
エンハンスメント型高電子移動度トランジスタ(HEMT)であって、 III-V族半導体上に位置するIII-V族バリア層を含むヘテロ接合と、 前記III-V族バリア層上に形成され、P型III-V族ゲート層を含むゲート構造と、を具え、 前記P型III-V族ゲート層により前記ゲート構造下の前記ヘテロ接合に2次元電子ガス(2DEG)が形成されるのを防止することを特徴とする、エンハンスメント型高電子移動度トランジスタ。
IPC (5件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/78
FI (2件)：
H01L29/80 H ,  H01L29/78 301B
Fターム (28件)：
5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD04 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GQ01 ,  5F102GT01 ,  5F102GT02 ,  5F102GT03 ,  5F102HC02 ,  5F140AA06 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BA02 ,  5F140BA06 ,  5F140BA09 ,  5F140BA16 ,  5F140BB06 ,  5F140BB18 ,  5F140BD07 ,  5F140BD11
引用特許：
審査官引用 (8件)
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