特許
J-GLOBAL ID：201303087611587674
多階調フォトマスク、パターン転写方法及び薄膜トランジスタの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
青木 宏義
, 天田 昌行
, 岡田 喜雅
, 菅野 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-271094
公開番号（公開出願番号）：特開2013-068967
出願日： 2012年12月12日
公開日（公表日）： 2013年04月18日
要約：
【課題】急峻なプロファイルを持つレジストパターンを得ることができる多階調フォトマスク及びパターン転写方法を提供すること。【解決手段】本発明の多階調フォトマスクは、透明基板11上に設けられた、露光光を一部透過させる半透光膜を各々パターン加工することにより、透光部及び半透光部を持つ転写パターンを備えた多階調フォトマスクであって、前記半透光部は、前記透明基板に対して相対的に低い位相シフト量を持つ第1半透光膜12と、前記第1半透光膜12に対して相対的に高い位相シフト量を持つ第2半透光膜13と、から構成されていることを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
透明基板上に、それぞれ所定の光透過率をもつ第1半透光膜及び第2半透光膜をそれぞれ形成し、それぞれ所定のパターニングを施すことにより、透光部、第1半透光部及び第2半透光部を含む転写パターンを形成してなる多階調フォトマスクにおいて、
前記転写パターンは、2〜6μmの距離で離間した2つの第1半透光部の間に隣接して挟まれた第2半透光部を有し、
前記第1半透光部は、前記透明基板上に第2半透光膜と第1半透光膜とを積層して構成され、
前記第2半透光部は、前記透明基板上に第2半透光膜を形成して構成され、
i線〜g線の範囲内の代表波長に対して、前記第2半透光部と前記透光部との間の位相差が60度未満であり、
前記代表波長に対して、前記第1半透光部と前記第2半透光部との間の位相差が180度±30度であり、
前記代表波長に対して、前記第1半透光部の透過率が10%未満であるとともに、前記第2半透光部の透過率が20%以上であり、
前記第1半透光部と前記第2半透光部との透過率の差が40%以上であることを特徴とする多階調フォトマスク。
IPC (3件)：
G03F 1/00
, G03F 1/58
, G03F 1/32
G03F1/00 Z
, G03F1/58
, G03F1/32
2H095BA12
, 2H095BC05
, 2H095BC11
出願人引用 (12件)
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審査官引用 (11件)
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