特許
J-GLOBAL ID：201303089336169045

半導体装置

発明者：
手塚 祐朗

手塚 祐朗 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-061276
公開番号（公開出願番号）：特開2013-236061
出願日： 2013年03月25日
公開日（公表日）： 2013年11月21日
要約：
【課題】チャネルが酸化物半導体層に形成されるトランジスタのオン電流を増加させる。【解決手段】ソース若しくはドレインの一部又はゲートの一部と重畳する領域に存在する酸化物半導体層に低抵抗化元素が導入されたトランジスタを提供する。例えば、ソース若しくはドレイン又はゲートとして機能する導電層の一部の領域(酸化物半導体層と重畳する領域の少なくとも一部)の膜厚を他の領域に存在する導電層の膜厚よりも小さくする。そして、酸化物半導体層に対する低抵抗化元素の導入処理を一部が薄膜化された導電層を介して行う。これにより、ソース若しくはドレイン又はゲートの一部と重畳する領域において低抵抗化元素が導入された酸化物半導体層を得ることが可能となる。その結果、当該トランジスタにおけるオン電流の増加を図ることが可能となる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
導電層と、 チャネル形成領域を含む酸化物半導体層と、を有し、 前記導電層は、 前記酸化物半導体層と重畳し、且つ第1の膜厚を備えた第1の部分と、 前記第1の膜厚よりも大きい第2の膜厚を備えた第2の部分と、を有し、 前記酸化物半導体層は、 前記第1の部分と重畳する領域における低抵抗化元素の濃度が、前記チャネル形成領域における前記低抵抗化元素の濃度よりも高い半導体装置。
IPC (10件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/108 ,  H01L 27/115 ,  H01L 27/105 ,  H01L 27/10 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  C23C 14/08
FI (10件)：
H01L29/78 616S ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616T ,  H01L29/78 617K ,  H01L27/10 321 ,  H01L27/10 434 ,  H01L27/10 441 ,  H01L27/10 461 ,  H01L29/78 371 ,  C23C14/08 K
Fターム (124件)：
4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA45 ,  4K029BA50 ,  4K029BB08 ,  4K029BD01 ,  4K029CA06 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  5F083AD11 ,  5F083AD49 ,  5F083AD69 ,  5F083EP02 ,  5F083EP22 ,  5F083ER02 ,  5F083ER13 ,  5F083ER21 ,  5F083GA02 ,  5F083GA06 ,  5F083GA11 ,  5F083GA25 ,  5F083GA27 ,  5F083HA02 ,  5F083HA06 ,  5F083HA10 ,  5F083JA02 ,  5F083JA12 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA40 ,  5F083JA44 ,  5F083JA53 ,  5F083JA60 ,  5F083KA01 ,  5F083LA00 ,  5F083LA11 ,  5F083NA01 ,  5F083PR01 ,  5F083PR06 ,  5F083PR07 ,  5F083PR22 ,  5F083PR33 ,  5F083PR40 ,  5F083ZA04 ,  5F083ZA12 ,  5F083ZA13 ,  5F083ZA14 ,  5F083ZA15 ,  5F101BA17 ,  5F101BA19 ,  5F101BB02 ,  5F101BB08 ,  5F101BC20 ,  5F101BD02 ,  5F101BD30 ,  5F101BD32 ,  5F101BD35 ,  5F101BD39 ,  5F101BD40 ,  5F110AA07 ,  5F110BB01 ,  5F110BB05 ,  5F110BB06 ,  5F110BB11 ,  5F110CC02 ,  5F110CC06 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD11 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE11 ,  5F110EE14 ,  5F110EE22 ,  5F110EE42 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF27 ,  5F110FF29 ,  5F110FF36 ,  5F110FF40 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG07 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG17 ,  5F110GG19 ,  5F110GG35 ,  5F110GG43 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK32 ,  5F110HK34 ,  5F110HK42 ,  5F110HM02 ,  5F110HM03 ,  5F110HM13 ,  5F110NN72 ,  5F110NN74 ,  5F110NN78 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ03 ,  5F110QQ19
引用特許：
出願人引用 (7件)
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