特許
J-GLOBAL ID:201303090483947191

リソグラフィ装置およびリソグラフィ方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 稲葉 良幸 ,  大貫 敏史
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-515778
公開番号(公開出願番号):特表2013-534727
出願日: 2011年03月17日
公開日(公表日): 2013年09月05日
要約:
リソグラフィ装置は、放射ビームを生成するように構成された放射源と、パターニングデバイスを支持するように構成されたサポートとを含む。パターニングデバイスは、放射ビームにパターンを与えてパターン付き放射ビームを形成するように構成される。チャンバは、放射源とパターニングデバイスとの間に位置する。チャンバは、放射ビームを反射するように構成された少なくとも1つの光コンポーネントを収容し、かつ放射源からの放射がチャンバを通過することを可能にするように構成される。膜(44)は、放射ビームの通過を可能にし、かつ汚染粒子(54)が膜を通過することを防ぐように構成される。粒子トラップ構造(52)は、ガスがチャンバの内側からチャンバの外側まで間接的な経路に沿って流れることを可能にするように構成される。間接的な経路は、汚染粒子(58)がチャンバの内側からチャンバの外側まで通過することを実質的に防ぐように構成される。【選択図】図3
請求項(抜粋):
リソグラフィ装置であって、 放射ビームを生成する放射源と、 前記放射ビームにパターンを与えてパターン付き放射ビームを形成するパターニングデバイスを支持するサポートと、 前記放射源と前記サポートとの間に位置するチャンバであって、前記放射ビームを反射する少なくとも1つの光コンポーネントを収容し、かつ前記放射源からの放射が該チャンバを通過することを可能にするチャンバと、 前記チャンバの一部を画定する膜であって、前記放射ビームが該膜を通過することを可能にし、かつ汚染粒子が該膜を通過することを防ぐ膜と、 ガスが前記チャンバの内側から前記チャンバの外側まで間接的な経路に沿って流れることを可能にする粒子トラップ構造であって、該粒子トラップ構造の該間接的な経路は、汚染粒子が前記チャンバの内側から前記チャンバの外側まで通過することを実質的に防ぐ粒子トラップ構造と、 を備える、リソグラフィ装置。
IPC (3件):
H01L 21/027 ,  G03F 1/62 ,  H05G 2/00
FI (5件):
H01L21/30 531A ,  H01L21/30 531Z ,  G03F1/62 ,  H01L21/30 531S ,  H05G1/00 K
Fターム (14件):
2H095BC33 ,  4C092AA06 ,  4C092AB19 ,  4C092AC09 ,  4C092BD01 ,  4C092BD18 ,  5F146GA21 ,  5F146GA24 ,  5F146GA27 ,  5F146GA28 ,  5F146GB07 ,  5F146GB09 ,  5F146GB11 ,  5F146GC11
引用特許:
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (9件)
  • トラップ装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平9-210962   出願人:島津メクテム株式会社
  • 真空容器と真空排気方法及びEUV露光装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2007-165443   出願人:株式会社ニコン
  • 露光方法及び装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平11-157635   出願人:株式会社ニコン
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