特許
J-GLOBAL ID：201303094313204246

酸化亜鉛半導体部材の製造方法

発明者：
羽賀 浩一

羽賀 浩一 について


出願人/特許権者：
株式会社 東北テクノアーチ

株式会社 東北テクノアーチ について


代理人 (1件)： 重信 和男
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-219280
公開番号（公開出願番号）：特開2003-031846
特許番号：特許第4817350号
出願日： 2001年07月19日
公開日（公表日）： 2003年01月31日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 単結晶シリコン基板上に形成された酸化亜鉛半導体部材の製造方法であって、 単結晶シリコン基板を、フッ酸処理により自然酸化膜を除去して表面に水素を結合させ、 フッ酸処理後に、スパッタリング法により酸化亜鉛を堆積し、堆積した酸化亜鉛上にアセチルアセトン亜鉛を用いた気相成長法により酸化亜鉛薄膜を堆積することを特徴とする酸化亜鉛半導体部材の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 33/28 ( 201 0.01) ,  C23C 16/40 ( 200 6.01) ,  H01L 21/203 ( 200 6.01) ,  H01L 21/205 ( 200 6.01) ,  H01L 31/10 ( 200 6.01)
FI (5件)：
H01L 33/00 182 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/10 A
引用特許：
出願人引用 (8件)
全件表示
審査官引用 (10件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM