Al(x)Ga(1-x)Nクラッディングフリー非極性III族窒化物ベースのレーザダイオードおよび発光ダイオード

発明者： , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：山本秀策 , 森下夏樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-125396
公開番号（公開出願番号）：特開2013-179363
出願日： 2013年06月14日
公開日（公表日）： 2013年09月09日
要約：

【課題】Al(x)Ga(1-x)Nクラッディングフリー非極性III族窒化物ベースのレーザダイオードおよび発光ダイオードを提供すること。【解決手段】AlxGa1-xNのクラッディングフリー非極性III族窒化物ベースのレーザダイオードまたは発光ダイオードを製作するための方法が提供される。非極性の結晶面内に分極電場が存在しないことに起因して、これらの非極性のデバイスは、厚い量子井戸を有する。この量子井戸が光導波路として機能することにより、光学モードを活性領域に効果的に閉じ込め、そしてAl含有導波路クラッド層の必要性を無くす。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

明細書に記載の発明。

IPC (4件)：

H01S 5/20 , H01S 5/343 , H01L 33/16 , H01L 33/32

FI (4件)：

H01S5/20 610 , H01S5/343 610 , H01L33/00 160 , H01L33/00 186

Fターム (10件)：

5F141AA03 , 5F141CA04 , 5F141CA05 , 5F141CA22 , 5F141CA40 , 5F173AF13 , 5F173AG17 , 5F173AH22 , 5F173AP24 , 5F173AR26

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-198336 出願人：三洋電機株式会社
窒化物系半導体レーザ素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-275763 出願人：三洋電機株式会社
4H型ポリタイプ基板上に形成された4H型ポリタイプ窒化ガリウム系半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-095658 出願人：松下電器産業株式会社, 小野島紀夫, 須田淳, 木本恒暢, 松波弘之

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