抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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nチャネル型IGBTに必要なp型基板は,抵抗が大きく,マイクロパイプなどの欠陥密度も高いため,上面にドリフト層となる高品質なnエピ層を堆積させるのは困難であった。本論では,この課題を解決するための多層エピ成長によるフリップ型ウェファの製作について述べた。本ウェファを用い,またチャネ部形成に,イオン注入とエピ成長を組合わせたIE構造を用いることにより,16kV級の超高耐圧と低オン抵抗性を備えたnチャネルIGBTの試作に成功した。ウェファおよびデバイス,モジュールの製造方法を示し,静特性および動特性の評価結果を報告した。耐圧16kV以上で,R
onAが14mΩcm
2と良好な静特性が得られ,また動特性も,5kVで最大60Aのスイッチングに成功するとともに,ターンオン,ターンオフとも,ノイズの小さな波形を得ることができた。