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J-GLOBAL ID：201402258303603068   整理番号：14A1333051

16kV級超高耐圧SiC nチャネル型IE-IGBTの開発

Dynamic Characteristics of Large Current Capacity Module using 16-kV Ultrahigh Voltage SiC Flip-Type n-channel IE-IGBT

著者 (27件)： 水島智教 (産業技術総合研) ,  竹中研介 (産業技術総合研) ,  藤澤広幸 (産業技術総合研) ,  加藤智久 (産業技術総合研) ,  原田信介 (産業技術総合研) ,  田中保宣 (産業技術総合研) ,  岡本光央 (産業技術総合研) ,  染谷満 (産業技術総合研) ,  岡本大 (産業技術総合研) ,  出口忠義 (産業技術総合研) ,  吉川満 (産業技術総合研) ,  田寺克己 (産業技術総合研) ,  宮島將昭 (産業技術総合研) ,  木村浩 (産業技術総合研) ,  米澤喜幸 (産業技術総合研) ,  福田憲司 (産業技術総合研) ,  奥村元 (産業技術総合研) ,  熊谷直樹 (富士電機) ,  松永慎一郎 (富士電機) ,  武井学 (富士電機) ,  大月章宏 (富士電機) ,  田中篤嗣 (関西電力) ,  緒方修二 (関西電力) ,  中山浩二 (関西電力) ,  林利彦 (関西電力) ,  浅野勝則 (関西電力) ,  木本恒暢 (京大)
資料名： 電気学会電子デバイス研究会資料  (電気学会研究会資料)
巻： EDD-14  号： 50-65  ページ： 7-11  発行年： 2014年10月30日 
JST資料番号： Z0910A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： nチャネル型IGBTに必要なp型基板は,抵抗が大きく,マイクロパイプなどの欠陥密度も高いため,上面にドリフト層となる高品質なnエピ層を堆積させるのは困難であった。本論では,この課題を解決するための多層エピ成長によるフリップ型ウェファの製作について述べた。本ウェファを用い,またチャネ部形成に,イオン注入とエピ成長を組合わせたIE構造を用いることにより,16kV級の超高耐圧と低オン抵抗性を備えたnチャネルIGBTの試作に成功した。ウェファおよびデバイス,モジュールの製造方法を示し,静特性および動特性の評価結果を報告した。耐圧16kV以上で,R_onAが14mΩcm²と良好な静特性が得られ,また動特性も,5kVで最大60Aのスイッチングに成功するとともに,ターンオン,ターンオフとも,ノイズの小さな波形を得ることができた。

シソーラス用語： *IGBT ,  炭化ケイ素 ,  電圧 ,  N型半導体 ,  パワーエレクトロニクス ,  電気特性 ,  *エピタクシー ,  *ウエハ【IC】 ,  オン抵抗 ,  基板
準シソーラス用語： *パワーデバイス ,  耐電圧

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (10件)：

• X. Wang and J. A. Cooper, IEEE Trans. Electron Devices, vol. 57, No.2, pp. 511-515, (2010)
• Mrinal K. Das, Q. Jon Zhang, Robert Callanan, Craig Capell, Jack Clayton, Matthew Donofrio, Sarah K. Haney, Fatima Husna, Charlotte Jonas, Jim Richmond, Joseph J. Sumakeris, Materials Science Forum Vols. 600-603, p.1183 (2009)
• Sei Hyung Ryu, Lin Cheng, Sarit Dhar, Craig Capell, Charlotte Jonas, Jack Clayton, Matt Donofrio, Michael J. O'Loughlin, Albert A. Burk, Anant K. Agarwal, John W. Palmour, Materials Science Forum Vols. 717-720, p.1135 (2012)
• S. Katakami, H. Fujisawa, K. Takenaka, H. Ishimori, S. Takasu, M. Okamoto, M. Arai, Y. Yonezawa, K. Fukuda, Materials Science Forum Vols. 740-742, p.958 (2013)
• D. Okamoto, Y. Tanaka, N. Matsumoto, M. Mizukami, C. Ota, K. Takao, K. Fukuda, H. Okumura, Materials Science Forum Vols. 740-742, p.907 (2013)

タイトルに関連する用語 (6件)： 高耐圧 ,  SiC ,  Nチャネル ,  IE ,  IGBT ,  開発