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J-GLOBAL ID：201402272253991242   整理番号：14A0682413

Si(111)基板上BaSi₂エピタキシャル膜の結晶・光学特性評価とガラス基板上への展開

Fabrication and characterization of BaSi₂ epitaxial films on Si (111) for developing BaSi₂ on glass

著者 (10件)： 高部涼太 (筑波大 大学院) ,  都甲薫 (筑波大 大学院) ,  沼田諒平 (筑波大 大学院) ,  原康祐 (名古屋大) ,  馬場正和 (筑波大 大学院) ,  DU Weijie (筑波大 大学院) ,  宇佐美徳隆 (名古屋大) ,  宇佐美徳隆 (JST-CREST) ,  末益崇 (筑波大 大学院) ,  末益崇 (JST-CREST)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 114  号： 2(OME2014 1-15)  ページ： 35-37  発行年： 2014年04月03日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 次世代の高効率薄膜太陽電池の材料として期待されているシリサイド半導体”BaSi₂”の結晶成長とその光学的特性について紹介する。BaSi₂はSi(111)基板上に3回対称のドメインを有しながらエピタキシャル成長をする。その膜をBaSi₂太陽電池として必要な厚さ(1.6μm)まで成長し,少数キャリア寿命をマイクロ波光導電減衰(μ-PCD)法により測定した結果,室温で約8μsと十分大きな値が得られた。さらに,(111)配向したAl誘起成長(AIC)Si層/ガラス上へのBaSi₂膜の高配向成長に成功した。安価なガラス基板上へBaSi₂太陽電池を展開する基盤技術の構築である。(著者抄録)

シソーラス用語： ケイ素 ,  基板 ,  *バリウム化合物 ,  *ケイ素化合物 ,  *MBE成長 ,  *半導体薄膜 ,  *太陽電池 ,  *金属触媒 ,  エネルギー変換効率 ,  少数キャリア ,  キャリア寿命 ,  マイクロ波 ,  光伝導 ,  減衰特性 ,  光吸収 ,  膜厚
準シソーラス用語： 金属触媒誘起成長 ,  高効率 ,  マイクロ波光導電減衰

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (8件)：

• K. Toh, T. Saito, and T. Suemasu: Jpn. J. Appl. Phys. 50 (2011) 068001.
• O. Nast, T. Puzzer, L. M. Koschier, A. B. Sproul, and S. R. Wenham: Appl. Phys. Lett. 73, 3214 (1998).
• R. Numata, K. Toko, N. Saitoh, N. Yoshizawa, N. Usami, and T. Suemasu, Cryst. Growth & Design 13, 1767 (2013).
• Y. Inomata, T. Nakamura, T. Suemasu, and F. Hasegawa: Jpn. J. Appl. Phys. 43 (2004) 4155.
• Y. Inomata, T. Nakamura, T. Suemasu, and F. Hasegawa: Jpn. J. Appl. Phys. 43 (2004) L478.

タイトルに関連する用語 (6件)： Si ,  エピタキシャル膜 ,  結晶 ,  光学特性評価 ,  ガラス基板 ,  展開