特許
J-GLOBAL ID：201403001948691673
プラズマ窒化ゲート誘電層における窒素プロフィルを改善する方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
園田 吉隆
, 小林 義教
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-093839
公開番号（公開出願番号）：特開2012-199555
特許番号：特許第5586651号
出願日： 2012年04月17日
公開日（公表日）： 2012年10月18日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板を処理する方法において:
基板が、あるシステムの窒化用チャンバ内に置かれている間に、前記基板上に形成されたゲート誘電層に窒素(N)を導入するステップと;
前記システムから前記基板を外に搬送することなく、前記基板を前記システムのアニール用チャンバに搬送するステップと;
前記窒化用チャンバ内の前記基板の温度を超える800°Cまで、60°C/秒より大きいランプ率で、前記アニール用チャンバ内で前記基板を加熱することにより、前記ゲート誘電層をアニールするステップと;を備え、前記アニールの間、前記アニール用チャンバ内の圧力は、100トルであり、前記基板を、前記窒素が導入された後、5分以内にアニールする、前記方法。
IPC (5件)：
H01L 21/318 ( 200 6.01)
, H01L 21/31 ( 200 6.01)
, H01L 29/78 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 21/283 ( 200 6.01)
H01L 21/318 C
, H01L 21/318 A
, H01L 21/31 E
, H01L 29/78 301 G
, H01L 21/283 B
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (8件)
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引用文献：
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