特許
J-GLOBAL ID：201403002296646260

半導体装置

発明者：
田中 哲弘

田中 哲弘 について

, 
魚地 秀貴

魚地 秀貴 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-031898
公開番号（公開出願番号）：特開2014-187359
出願日： 2014年02月21日
公開日（公表日）： 2014年10月02日
要約：
【課題】信頼性が高く安定した電気特性を有する半導体装置を提供する。【解決手段】トランジスタを構成するソース電極およびドレイン電極と酸化物半導体層の間に低抵抗層を設ける。低抵抗層は、ソース領域またはドレイン領域として機能する。また、低抵抗層は、導電性を有する酸化物材料、または酸化しても導電性を有する材料を用いて形成する。当該低抵抗層は、酸素が供給されても、抵抗値や、ソース領域またはドレイン領域として機能する領域大きさが変動しにくい。よって、酸化物半導体層中の酸素欠損を低減するための酸素が当該低抵抗層に供給されても、トランジスタのチャネル長が変動しにくい。当該低抵抗層を用いることで、信頼性が高く安定した電気特性を有する半導体装置を提供することができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
酸化物半導体層と、酸化物層と、低抵抗層と、を有し、 前記酸化物半導体層は、 前記酸化物層と接する第1の領域と、 前記低抵抗層と接する第2の領域と、 を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/417
FI (7件)：
H01L29/78 616S ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/78 616Z ,  H01L21/28 301B ,  H01L21/28 301R ,  H01L29/50 M
Fターム (128件)：
4M104AA03 ,  4M104AA08 ,  4M104AA09 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB21 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104BB36 ,  4M104BB40 ,  4M104CC01 ,  4M104DD08 ,  4M104DD12 ,  4M104DD26 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD51 ,  4M104DD64 ,  4M104DD65 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104FF08 ,  4M104FF18 ,  4M104FF31 ,  4M104GG09 ,  4M104HH15 ,  5F110AA06 ,  5F110AA08 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110DD24 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE09 ,  5F110EE11 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE30 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF05 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG16 ,  5F110GG19 ,  5F110GG22 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110HJ02 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ30 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK05 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK08 ,  5F110HK09 ,  5F110HK17 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HM02 ,  5F110HM03 ,  5F110HM04 ,  5F110NN02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN05 ,  5F110NN22 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN28 ,  5F110NN35 ,  5F110NN40 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110NN74 ,  5F110NN77 ,  5F110QQ01 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ19
引用特許：
審査官引用 (9件)
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