特許
J-GLOBAL ID：201403002480192484

半導体記憶装置

発明者：
舛岡 富士雄

舛岡 富士雄 について

, 
新井 紳太郎

新井 紳太郎 について


出願人/特許権者：
ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッド

ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッド について


代理人 (7件)： 辻居 幸一 ,  熊倉 禎男 ,  大塚 文昭 ,  西島 孝喜 ,  須田 洋之 ,  上杉 浩 ,  鈴木 信彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-182924
公開番号（公開出願番号）：特開2014-003325
出願日： 2013年09月04日
公開日（公表日）： 2014年01月09日
要約：
【課題】小さいSRAMセル面積と安定した動作マージンを実現する縦型トランジスタSGTで構成されたCMOS型6T-SRAMを提供する。【解決手段】6個のMOSトランジスタを用いて構成されたスタティック型メモリセルにおいて、メモリセルを構成するMOSトランジスタは、埋め込み酸化膜1上に形成された平面状シリコン層2a上に形成され、ドレイン3a,4a,5a、ゲート18c、ソース14が垂直方向に配置され、ゲート18cが柱状半導体層21a,22a,23aを取り囲む構造を有し、平面状シリコン層2aは第1の導電型を持つ第1の活性領域3a,5aと第2の導電型を持つ第2の活性領域4aからなり、それらが平面状シリコン層2a表面に形成されたシリサイド層13aを通して互いに接続されることにより小さい面積のSRAMセルを実現する。【選択図】図3d
請求項（抜粋）：
6個のMOSトランジスタが基板上に形成された絶縁膜上に配列されたスタティック型メモリセルを備えた半導体記憶装置であって、 前記6個のMOSトランジスタの各々は、 ソース拡散層、ドレイン拡散層及び柱状半導体層が、基板上に形成された絶縁膜上に垂直方向に階層的に配置され、前記柱状半導体層は前記ソース拡散層と前記ドレイン拡散層の間に配置され、前記柱状半導体層の側壁にゲートが形成されており、 メモリにアクセスするための第1及び第2のNMOSのアクセストランジスタと、メモリセルのデータを保持するために記憶ノードを駆動する第1及び第2のNMOSのドライバトランジスタと、メモリセルのデータを保持するために電荷を供給する第1及び第2のPMOSのロードトランジスタとして機能し、 第1のNMOSのアクセストランジスタ、第1のNMOSのドライバトランジスタ及び第1のPMOSのロードトランジスタは、互いに隣接して配列され、 第2のNMOSのアクセストランジスタ、第2のNMOSのドライバトランジスタ及び第2のPMOSのロードトランジスタは、互いに隣接して配列され、 第1のNMOSのアクセストランジスタ、第1のNMOSのドライバトランジスタ及び第1のPMOSのロードトランジスタにおいてデータを保持する第1の記憶ノードとして機能する各々の第1の拡散層を前記絶縁膜上に配置し、前記各々の第1の拡散層の表面に形成された第1のシリサイド層を介して前記各々の第1の拡散層を相互に接続し、 第2のNMOSのアクセストランジスタ、第2のNMOSのドライバトランジスタ及び第2のPMOSのロードトランジスタにおいてデータを保持する第2の記憶ノードとして機能する各々の第2の拡散層を前記絶縁膜上に配置し、前記各々の第2の拡散層の表面に形成された第2のシリサイド層を介して前記各々の第2の拡散層を相互に接続したことを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (2件)：
H01L 21/824 ,  H01L 27/11
FI (1件)：
H01L27/10 381
Fターム (42件)：
5F083BS02 ,  5F083BS03 ,  5F083BS04 ,  5F083BS07 ,  5F083BS08 ,  5F083BS11 ,  5F083BS12 ,  5F083BS14 ,  5F083BS15 ,  5F083BS16 ,  5F083BS19 ,  5F083BS20 ,  5F083BS23 ,  5F083BS24 ,  5F083BS27 ,  5F083BS40 ,  5F083BS43 ,  5F083GA01 ,  5F083GA02 ,  5F083GA03 ,  5F083GA10 ,  5F083GA11 ,  5F083GA27 ,  5F083HA02 ,  5F083JA02 ,  5F083JA35 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA53 ,  5F083KA01 ,  5F083KA08 ,  5F083KA15 ,  5F083KA16 ,  5F083LA01 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083LA20 ,  5F083LA21 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19 ,  5F083PR06 ,  5F083PR40
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (9件)
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