特許
J-GLOBAL ID：201403036229519310

化合物半導体装置及びその製造方法

発明者：
宮島 豊生

宮島 豊生 について

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石黒 哲郎

石黒 哲郎 について

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山田 敦史

山田 敦史 について

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今西 健治

今西 健治 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-238334
公開番号（公開出願番号）：特開2014-090033
出願日： 2012年10月29日
公開日（公表日）： 2014年05月15日
要約：
【課題】2DEGの制御にp型半導体層を用いるも、p型半導体層のドライエッチングに起因して発生する電気抵抗の増加及び動作不安定性等の諸問題を惹起することなく、確実なノーマリ・オフを実現する信頼性の高い化合物半導体装置を実現する。【解決手段】化合物半導体積層構造2と、化合物半導体積層構造2の上方に形成されたゲート電極7と、化合物半導体積層構造2とゲート電極7との間に局所的に形成されたp型半導体層3aとを備えてAlGaN/GaN・HEMTが構成されており、化合物半導体積層構造2は、その表面でp型半導体層3aの非形成面が原子ステップレベルの平坦性を有する。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
化合物半導体積層構造と、 前記化合物半導体積層構造の上方に形成された電極と、 前記化合物半導体積層構造と前記電極との間に局所的に形成されたp型半導体層と を含み、 前記化合物半導体積層構造は、その表面で前記p型半導体層の非形成面が原子ステップレベルの平坦性を有することを特徴とする化合物半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 27/098 ,  H01L 29/808 ,  H01L 21/337 ,  H02M 7/12 ,  H02M 3/28
FI (3件)：
H01L29/80 C ,  H02M7/12 Q ,  H02M3/28 T
Fターム (33件)：
5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD04 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ05 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GQ01 ,  5F102GS01 ,  5F102GT01 ,  5F102HA13 ,  5F102HC01 ,  5F102HC10 ,  5F102HC15 ,  5F102HC19 ,  5H006AA02 ,  5H006AA05 ,  5H006CA02 ,  5H006CB08 ,  5H006HA07 ,  5H730AA04 ,  5H730AS01 ,  5H730BB27 ,  5H730CC25 ,  5H730DD04 ,  5H730EE19 ,  5H730ZZ04 ,  5H730ZZ15
引用特許：
審査官引用 (9件)
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