特許

J-GLOBAL ID：201403048622821034

パターン形成方法及びレジスト組成物

発明者： 小林 知洋 ,  片山 和弘 ,  熊木 健太郎 ,  林 伝文 ,  大橋 正樹 ,  福島 将大
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (5件)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史 ,  正木 克彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-042709
公開番号（公開出願番号）：特開2014-170167
出願日： 2013年03月05日
公開日（公表日）： 2014年09月18日
要約：

【解決手段】酸不安定基を有し、酸の作用により極性が変化する高分子化合物[A]と、式(1)の光酸発生剤[B]と、有機溶剤[C]とを含有するレジスト組成物を基板に塗布し、加熱処理をして作製したレジスト膜を高エネルギー線で露光し、加熱処理を施した後に、有機溶剤を含有する現像液によりレジスト膜の未露光部分を選択的に溶解させるネガ型パターン形成方法。 R1-COOC(CF3)2-CH2SO3- R2R3R4S+ (1)(R1は一価の炭化水素基、R2、R3及びR4はアルキル基、アルケニル基、オキソアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアリールオキソアルキル基、あるいはR2、R3及びR4のうちのいずれか2つ以上が相互に結合して式中の硫黄原子と共に環を形成してもよい。)【効果】本発明によれば、微細なトレンチパターンのエッジラフネスを低減でき、また、逆テーパー形状を抑制し、パターン倒れを軽減させることができる。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

酸不安定基を有し、酸の作用により極性が変化する高分子化合物[A]と、下記一般式(1)で表される構造の光酸発生剤[B]と、有機溶剤[C]とを含有するレジスト組成物を基板に塗布し、塗布後加熱処理をして作製したレジスト膜を高エネルギー線で露光し、露光後加熱処理を施した後に、有機溶剤を含有する現像液によりレジスト膜の未露光部分を選択的に溶解させることを特徴とするネガ型パターン形成方法。 R1-COOC(CF3)2-CH2SO3- R2R3R4S+ (1) (式中、R1はヘテロ原子を含んでもよい炭素数1〜50の直鎖状、分岐状又は環状の一価の炭化水素基を示す。R2、R3及びR4は相互に独立に置換もしくは非置換の炭素数1〜10の直鎖状又は分岐状のアルキル基、アルケニル基又はオキソアルキル基、又は置換もしくは非置換の炭素数6〜18のアリール基、アラルキル基又はアリールオキソアルキル基を示すか、あるいはR2、R3及びR4のうちのいずれか2つ以上が相互に結合して式中の硫黄原子と共に環を形成してもよい。)

IPC (6件)：

G03F 7/038 ,  G03F 7/32 ,  G03F 7/004 ,  G03F 7/039 ,  H01L 21/027 ,  C08F 20/00

FI (6件)：

G03F7/038 601 ,  G03F7/32 ,  G03F7/004 503A ,  G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R ,  C08F20/00 510

Fターム (57件)：

2H096AA25 ,  2H096BA06 ,  2H096GA03 ,  2H125AE13P ,  2H125AF17P ,  2H125AF18P ,  2H125AF21P ,  2H125AF30P ,  2H125AF33P ,  2H125AF38P ,  2H125AF70P ,  2H125AH11 ,  2H125AH15 ,  2H125AH16 ,  2H125AH19 ,  2H125AH20 ,  2H125AH23 ,  2H125AH24 ,  2H125AH29 ,  2H125AJ12X ,  2H125AJ14X ,  2H125AJ18X ,  2H125AJ25Y ,  2H125AJ63X ,  2H125AJ64X ,  2H125AJ65X ,  2H125AJ66X ,  2H125AJ68X ,  2H125AJ69X ,  2H125AJ84Y ,  2H125AK21 ,  2H125AK30 ,  2H125AL03 ,  2H125AL11 ,  2H125AM22N ,  2H125AM27P ,  2H125AM66P ,  2H125AM99P ,  2H125AN39P ,  2H125AN42P ,  2H125AN54P ,  2H125AN56P ,  2H125AN65P ,  2H125AN86P ,  2H125AN88P ,  2H125BA01P ,  2H125BA26P ,  2H125BA32P ,  2H125CA12 ,  2H125CB09 ,  2H125CC01 ,  2H125CC15 ,  2H125FA03 ,  2H125FA05 ,  2H196AA25 ,  2H196BA06 ,  2H196GA03

引用特許：

審査官引用 (8件)

• 新規スルホン酸塩及びその誘導体、光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-262560   出願人：信越化学工業株式会社
• パターン形成方法及びレジスト組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-184673   出願人：信越化学工業株式会社
• スルホニウム塩、レジスト材料及びパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2013-003555   出願人：信越化学工業株式会社
• スルホニウム塩、レジスト材料及びパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2013-003768   出願人：信越化学工業株式会社
• フォトレジスト組成物、およびフォトリソグラフィパターンを形成する方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2012-039718   出願人：ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ,エル.エル.シー.
• フォトレジスト組成物、およびフォトリソグラフィパターンを形成する方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2012-039713   出願人：ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ,エル.エル.シー.
• ネガ型現像用レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-041379   出願人：富士フイルム株式会社
• 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜及びパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-291237   出願人：富士フイルム株式会社