特許
J-GLOBAL ID：201403049588936524
封止層被覆光半導体素子、その製造方法および光半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
岡本 寛之
, 宇田 新一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-287919
公開番号（公開出願番号）：特開2014-130918
出願日： 2012年12月28日
公開日（公表日）： 2014年07月10日
要約：
【課題】寸法安定性に優れる封止層被覆光半導体素子の製造方法、それにより得られる封止層被覆光半導体素子、および、それを備える、光学安定性に優れる光半導体装置を提供すること。【解決手段】蛍光体層被覆LED10の製造方法は、蛍光体層5を支持シート1の上に配置する配置工程、および、配置工程の後に、LED4を、その上面が露出されるように、蛍光体層5によって被覆して、蛍光体層被覆LED10を得る被覆(埋設)工程を備える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
封止層を支持台の厚み方向一方側に配置する配置工程、および、
前記配置工程の後に、光半導体素子を、その一方面が露出されるように、前記封止層によって被覆して、封止層被覆光半導体素子を得る被覆工程
を備えることを特徴とする、封止層被覆光半導体素子の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 33/54
, H01L 33/50
, H01L 33/60
H01L33/00 422
, H01L33/00 410
, H01L33/00 432
5F142AA54
, 5F142BA02
, 5F142BA32
, 5F142CA11
, 5F142CD01
, 5F142CE03
, 5F142CE16
, 5F142CG03
, 5F142CG04
, 5F142CG05
, 5F142DA12
, 5F142DA63
, 5F142DA65
, 5F142DA73
, 5F142FA18
, 5F142FA21
, 5F142FA28
