特許
J-GLOBAL ID：201403061143917961

エッジ終端エレメントのための凹部を用いるエッジ終端構造

発明者：
ヘニング,ジェイソン・パトリック

ヘニング,ジェイソン・パトリック について

, 
ジャーン,チーンチュン

ジャーン,チーンチュン について

, 
リュー,セイ-ヒュン

リュー,セイ-ヒュン について

, 
アガーワル,アナント・クマール

アガーワル,アナント・クマール について

, 
パルマー,ジョン・ウィリアムズ

パルマー,ジョン・ウィリアムズ について

, 
アレン,スコット

アレン,スコット について


出願人/特許権者：
クリー インコーポレイテッド

クリー インコーポレイテッド について


代理人 (5件)： 小野 新次郎 ,  小林 泰 ,  竹内 茂雄 ,  山本 修 ,  大牧 綾子
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-529881
公開番号（公開出願番号）：特表2014-530485
出願日： 2012年09月07日
公開日（公表日）： 2014年11月17日
要約：
複数の同心のガード・リングなどのような、エッジ終端構造のエレメントは、ドリフト層における有効にドープされた領域である。それらのドープされた領域の深さを増加させるために、個々の凹部を、エッジ終端構造のエレメントが形成されるドリフト層の表面に形成することができる。ドリフト層に凹部が形成されると、凹部のあたりおよび底部におけるそれらの範囲はドープされて、個々のエッジ終端エレメントが形成される。
請求項（抜粋）：
半導体デバイスであって、 アクティブ領域と関連する第1面と、前記アクティブ領域と実質的に横方向で隣接するエッジ終端領域とを有するドリフト層であって、前記ドリフト層は、主に第1導電型のドーピング材料によりドープされ、前記エッジ終端領域は、前記ドリフト層の中へ延びる複数のエッジ終端エレメント凹部を含む、ドリフト層と、 複数の第1のドープされた領域であって、前記複数のエッジ終端エレメント凹部のうちの対応するもののあたりで前記ドリフト層の中へと延び、複数のエッジ終端エレメントを形成し、前記複数の第1のドープされた領域は、前記第1導電型とは逆の第2導電型のドーピング材料によりドープされる、複数の第1のドープされた領域と、 ショットキー接合を形成するために前記第1面の前記アクティブ領域の上にあるショットキー層と を含む半導体デバイス。
IPC (7件)：
H01L 29/872 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/47 ,  H01L 21/329 ,  H01L 29/861 ,  H01L 29/868 ,  H01L 21/265
FI (17件)：
H01L29/86 301E ,  H01L29/06 301G ,  H01L29/48 E ,  H01L29/48 D ,  H01L29/48 P ,  H01L29/48 F ,  H01L29/48 M ,  H01L29/86 301F ,  H01L29/86 301M ,  H01L29/86 301D ,  H01L29/91 D ,  H01L29/91 F ,  H01L29/91 K ,  H01L29/06 301M ,  H01L29/06 301V ,  H01L21/265 R ,  H01L21/265 Z
Fターム (20件)：
4M104AA03 ,  4M104BB02 ,  4M104BB05 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB17 ,  4M104BB21 ,  4M104CC03 ,  4M104DD78 ,  4M104DD81 ,  4M104DD91 ,  4M104DD92 ,  4M104EE06 ,  4M104EE17 ,  4M104EE18 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18 ,  4M104GG03 ,  4M104HH18 ,  4M104HH20
引用特許：
出願人引用 (8件)
全件表示
審査官引用 (11件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM