特許

J-GLOBAL ID：201403065813920786

半導体装置およびその作製方法

発明者： 山崎 舜平 ,  中澤 安孝 ,  神長 正美 ,  肥塚 純一 ,  岡崎 健一 ,  廣橋 拓也 ,  足立 駿介
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-248140
公開番号（公開出願番号）：特開2014-197664
出願日： 2013年11月29日
公開日（公表日）： 2014年10月16日
要約：

【課題】酸化物半導体中のチャネル形成領域における酸素欠損を低減し、電気特性の安定したまたは信頼性の高いトランジスタを含む半導体装置を提供する。【解決手段】ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、ゲート電極上のゲート絶縁膜上に、酸化物半導体層を形成し、酸化物半導体層上に、スパッタリング法により酸化物層を形成して、酸化物半導体層と酸化物層とを含む酸化物積層膜を形成し、酸化物積層膜を所定の形状に加工し、所定の形状に加工した酸化物積層膜上に、Tiを主成分とする導電膜を形成し、導電膜をエッチングして、ソース電極およびドレイン電極を形成するとともに、バックチャネル側に凹部を形成し、加熱処理により、酸化物積層膜がソース電極およびドレイン電極と接する部分をn型化する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

ゲート電極と、 前記ゲート電極と重なるゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極と重なる酸化物積層膜と、 前記酸化物積層膜と接するソース電極およびドレイン電極と、を有し、 前記酸化物積層膜は、前記ソース電極および前記ドレイン電極と接する部分がもっとも低抵抗であり、かつ前記ソース電極および前記ドレイン電極から遠ざかるに従って抵抗が高くなることを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 ,  H05B 33/08 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/10

FI (11件)：

H01L29/78 618E ,  H01L29/78 618C ,  H01L29/78 618B ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/78 619A ,  H01L21/28 301R ,  G02F1/1368 ,  H05B33/08 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/10 ,  H01L29/78 616V

Fターム (82件)：

2H192AA24 ,  2H192BB13 ,  2H192BC31 ,  2H192CB05 ,  2H192CB37 ,  2H192FB02 ,  2H192JA64 ,  3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC21 ,  3K107CC31 ,  3K107CC45 ,  3K107EE04 ,  3K107FF04 ,  3K107FF15 ,  3K107GG12 ,  3K107HH04 ,  4M104AA03 ,  4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104EE15 ,  4M104EE16 ,  4M104FF17 ,  4M104GG08 ,  5F110AA09 ,  5F110AA14 ,  5F110BB02 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE15 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG16 ,  5F110GG17 ,  5F110GG19 ,  5F110GG22 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ06 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN28

引用特許：

審査官引用 (8件)

• 半導体装置及び半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-046034   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置及び半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-176611   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 表示装置および電子機器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-078493   出願人：ソニー株式会社
• 薄膜トランジスタおよびその製造方法、並びに表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-245035   出願人：ソニー株式会社
• 薄膜トランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-042575   出願人：三星電子株式会社
• 半導体装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-224475   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 積層酸化物材料、半導体装置、および半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-262862   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-183199   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所