基板処理方法および基板処理装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：稲岡耕作 , 川崎実夫 , 五郎丸正巳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-053240
公開番号（公開出願番号）：特開2014-197571
出願日： 2013年03月15日
公開日（公表日）： 2014年10月16日
要約：

【課題】基板の表面周縁部における疎水化を促進して基板の表面全域を良好に疎水することができ、これにより、パターンの倒壊を抑制または防止することができる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。【解決手段】基板処理装置は、表面に複数の凸形状パターンが形成されたウエハWを乾燥するための装置である。基板処理装置では、スピンチャックに保持されたウエハWの上面に、シリル化液を供給するシリル化液供給工程(S4)と、シリル化液供給工程と並行して、ウエハを加熱する基板加熱工程と、シリル化液供給工程が実行された後に、ウエハを回転させて当該ウエハを乾燥させる乾燥工程(S6)とが実行される。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

所定のパターンが形成された基板の表面を処理する基板処理方法であって、前記基板の表面に処理液の液膜を形成する液膜形成工程と、前記基板を回転させながら、前記基板の表面を疎水化させるための疎水化液を前記基板の表面中央部に供給する疎水化液供給工程と、前記疎水化液供給工程と並行して、供給された前記疎水化液の前記基板の表面周縁部における不活性化を抑制させる不活性化抑制工程と、疎水化液が供給された前記基板を乾燥させる乾燥工程とを含む、基板処理方法。

IPC (1件)：

H01L 21/304

FI (4件)：

H01L21/304 641 , H01L21/304 643A , H01L21/304 648G , H01L21/304 651L

Fターム (37件)：

5F157AA09 , 5F157AA28 , 5F157AA29 , 5F157AA30 , 5F157AA36 , 5F157AB02 , 5F157AB14 , 5F157AB16 , 5F157AB33 , 5F157AB42 , 5F157AB90 , 5F157AC03 , 5F157AC26 , 5F157BB23 , 5F157BB39 , 5F157BB66 , 5F157BH18 , 5F157CA02 , 5F157CA03 , 5F157CA04 , 5F157CA05 , 5F157CB02 , 5F157CB03 , 5F157CB13 , 5F157CB14 , 5F157CB15 , 5F157CB22 , 5F157CB28 , 5F157CD48 , 5F157CE52 , 5F157CE56 , 5F157CF34 , 5F157CF42 , 5F157DA21 , 5F157DB14 , 5F157DB37 , 5F157DB51

引用特許：

審査官引用 (10件)

液処理方法及び液処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-090246 出願人：東京エレクトロン株式会社
半導体基板の洗浄方法及び洗浄装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-022610 出願人：松下電器産業株式会社
半導体基板の表面処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-140992 出願人：株式会社東芝

全件表示

前のページに戻る