液処理方法及び液処理装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊東忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-090246
公開番号（公開出願番号）：特開2012-222329
出願日： 2011年04月14日
公開日（公表日）： 2012年11月12日
要約：

【課題】基板を効率よく撥水化することが可能な液処理方法及び液処理装置を提供する。【解決手段】撥水化剤溶液を加温する溶液加温工程と、加温された前記撥水化剤溶液を基板に対して供給する撥水化処理工程と、前記撥水化処理工程後の前記基板に対し、リンス液を供給するリンス工程と、前記基板を回転させて、前記リンス液を除去する乾燥工程と、を含む液処理方法が提供される。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

撥水化剤溶液を加温する溶液加温工程と、加温された前記撥水化剤溶液を基板に対して供給する撥水化処理工程と、前記撥水化処理工程後の前記基板に対し、リンス液を供給するリンス工程と、前記基板を回転させて、前記リンス液を除去する乾燥工程と、を含む液処理方法。

IPC (1件)：

H01L 21/304

FI (4件)：

H01L21/304 651Z , H01L21/304 647A , H01L21/304 643A , H01L21/304 648L

Fターム (29件)：

5F157AA66 , 5F157AB02 , 5F157AB13 , 5F157AB33 , 5F157AB48 , 5F157AB50 , 5F157AB51 , 5F157AB90 , 5F157AC02 , 5F157AC26 , 5F157BB23 , 5F157BB32 , 5F157BB66 , 5F157BC66 , 5F157BC69 , 5F157BF22 , 5F157BH18 , 5F157CB02 , 5F157CB03 , 5F157CB04 , 5F157CB13 , 5F157CB14 , 5F157CE74 , 5F157CE76 , 5F157CF34 , 5F157CF40 , 5F157CF42 , 5F157DA21 , 5F157DB14

引用特許：

審査官引用 (11件)

半導体基板の表面処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-243777 出願人：株式会社東芝
金属間誘電体として用いられる低K及び超低Kの有機シリケート膜の疎水性の回復
公報種別：公表公報出願番号：特願2007-538874 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
半導体装置の製造方法および半導体装置の製造に用いられる薬液
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-275174 出願人：株式会社東芝

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