特許
J-GLOBAL ID：201403088686569829

半導体装置

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-219843
公開番号（公開出願番号）：特開2014-103388
出願日： 2013年10月23日
公開日（公表日）： 2014年06月05日
要約：
【課題】微細化に伴い顕著となる電気特性の低下を抑制できる構成の半導体装置を提供する。また、信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】第1のゲート電極層、第2のゲート電極層および第3のゲート電極層を有し、第1のゲート電極層乃至第3のゲート電極層は、それぞれ離間しており、第1のゲート電極層は、酸化物半導体層と重畳し、第2のゲート電極層は、酸化物半導体層のチャネル幅方向の一方の端部の一部を覆い、第3のゲート電極層は、酸化物半導体層のチャネル幅方向の他方の端部の一部を覆う。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上に形成された酸化物半導体層と、 前記酸化物半導体層に接するソース電極層およびドレイン電極層と、 前記酸化物半導体層、前記ソース電極層および前記ドレイン電極層上に形成されたゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜上に形成された、第1のゲート電極層、第2のゲート電極層および第3のゲート電極層と、を有し、 前記第1のゲート電極層乃至前記第3のゲート電極層は、それぞれ離間しており、 前記第1のゲート電極層は、前記酸化物半導体層と重畳し、 前記第2のゲート電極層は、前記酸化物半導体層のチャネル幅方向の一方の端部の一部を覆い、 前記第3のゲート電極層は、前記酸化物半導体層のチャネル幅方向の他方の端部の一部を覆うことを特徴とする半導体装置。
IPC (8件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/49 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/41 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/088
FI (11件)：
H01L29/78 617K ,  H01L29/78 617A ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617N ,  H01L29/78 618E ,  H01L29/78 616V ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/58 G ,  H01L29/44 P ,  H01L29/44 S ,  H01L27/08 102E
Fターム (111件)：
4M104AA03 ,  4M104AA08 ,  4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB08 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104CC05 ,  4M104DD35 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104FF06 ,  4M104FF09 ,  4M104FF11 ,  4M104FF13 ,  4M104FF18 ,  4M104GG08 ,  4M104HH15 ,  5F048AB01 ,  5F048AB03 ,  5F048AC01 ,  5F048AC10 ,  5F048BA01 ,  5F048BA16 ,  5F048BA19 ,  5F048BA20 ,  5F048BB03 ,  5F048BC18 ,  5F048BD10 ,  5F048BF16 ,  5F048BG06 ,  5F048BG11 ,  5F110AA01 ,  5F110AA06 ,  5F110AA08 ,  5F110AA14 ,  5F110BB05 ,  5F110CC01 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110DD24 ,  5F110DD25 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE24 ,  5F110EE29 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG19 ,  5F110GG22 ,  5F110GG25 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK17 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HM02 ,  5F110HM13 ,  5F110HM17 ,  5F110NN02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN28 ,  5F110NN40 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110NN74 ,  5F110NN77 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110PP29 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ19
引用特許：
出願人引用 (9件)
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