薄膜トランジスタおよびその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：樺澤襄 , 樺澤聡 , 山田哲也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-135886
公開番号（公開出願番号）：特開2005-317851
出願日： 2004年04月30日
公開日（公表日）： 2005年11月10日
要約：

【課題】オフ電流が小さい薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】ゲート電極32の端部の拡幅片部32bのゲート長IIが、ゲート電極32の本体部32aのゲート長Iより長い。ゲート電極32の端部を介して活性層21に流れる電流の経路がゲート電極32の拡幅片部32bにて長くなる。ゲート電極32を介した活性層21の周縁部64でのリーク電流の発生が少なくなる。薄膜トランジスタ8全体のオフ電流が下がる。薄膜トランジスタ8のトランジスタ特性を良好にできる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

長手方向を有する半導体層と、この半導体層の長手方向に交差する方向に沿った中央部、および前記半導体層の幅方向に沿った前記中央部の端部に設けられ前記中央部より幅広な拡幅部を備え、前記半導体層上に絶縁されて設けられたゲート電極と、このゲート電極から絶縁され前記半導体層に電気的に接続され前記ゲート電極を挟んで位置するソース電極およびドレイン電極とを具備したことを特徴とした薄膜トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L21/20 , H01L21/336

FI (6件)：

H01L29/78 617K , G02F1/1368 , H01L21/20 , H01L29/78 618C , H01L29/78 627G , H01L29/78 618Z

Fターム (49件)：

2H092GA59 , 2H092JA25 , 2H092JA38 , 2H092JB56 , 2H092JB58 , 2H092JB69 , 2H092MA05 , 2H092MA27 , 2H092MA30 , 2H092NA22 , 2H092PA06 , 5F052AA02 , 5F052BB07 , 5F052DA02 , 5F052DB07 , 5F052EA01 , 5F052EA11 , 5F052JA01 , 5F110AA06 , 5F110BB02 , 5F110CC02 , 5F110DD02 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110EE06 , 5F110EE24 , 5F110EE44 , 5F110FF02 , 5F110FF30 , 5F110FF31 , 5F110GG02 , 5F110GG07 , 5F110GG13 , 5F110GG16 , 5F110GG23 , 5F110GG43 , 5F110GG45 , 5F110HJ01 , 5F110HJ12 , 5F110HJ23 , 5F110NN03 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN35 , 5F110NN72 , 5F110NN73 , 5F110PP03 , 5F110PP24 , 5F110QQ10

引用特許：

出願人引用 (1件)

薄膜トランジスタおよびその製造方法、液晶表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-097329 出願人：株式会社東芝

審査官引用 (9件)

SOI半導体デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-283968 出願人：三菱電機株式会社
薄膜トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-071102 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
薄膜トランジスタおよび液晶表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-121392 出願人：松下電器産業株式会社

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