特許

J-GLOBAL ID：201403089909389522

X線結晶分析方法

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発明者： 土井 修一
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 川上 光治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-195465
公開番号（公開出願番号）：特開2014-052223
出願日： 2012年09月05日
公開日（公表日）： 2014年03月20日
要約：

【課題】結晶及び構造秩序を持つ試料の表面から深さ方向の結晶分布を高い精度で測定するためのX線結晶分析方法を提供する。【解決手段】試料に対するX線の入射角を変化させることにより得られるピーク構造及び振動構造などの微細構造を含んだX線回折強度の変化のプロファイルを取得し、X線反射強度により決定される密度、屈折率を利用して試料中のX線電場強度を算出し、併せて、試料中の深さ方向の結晶量分布を仮定し、仮定した結晶量分布を重み因子に使用して電場強度に乗算し、その乗算結果を深さ方向に対して試料の有機物の厚みの積分を計算し、入射角に対する計算X線回折強度プロファイルを求め、計算X線回折強度プロファイルを実測X線回折強度プロファイルにフィッティングするように試料中の結晶量の深さ方向の分布を変更し、その変更後のデータを最終の結晶量深さ分布として決定する。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

結晶及び構造秩序を持つ試料の表面の設定箇所に対し、全反射臨界角を基準にした設定範囲の入射角でX線を入射し、前記試料からの所望の回折角度で回折する回折X線の強度を測定し、前記入射角に対する前記回折X線の強度の変化を示す測定X線回折強度プロファイルを取得し、 前記試料の前記設定箇所において前記入射角の前記設定範囲で全面反射した前記X線の反射強度を測定し、前記入射角とX線反射強度の関係を示すX線反射強度プロファイルを取得し、 前記X線反射強度プロファイルを解析することにより前記試料中の深さ方向の密度分布を決定し、前記試料中の前記X線に対する屈折率を求め、前記試料中に形成される前記X線による電場強度と前記入射角の関係を示す電場強度分布を計算し、 前記試料中の結晶量の深さ分布を仮定し、 前記結晶量の深さ分布を重み因子として前記電場強度分布に乗算して求められた乗算結果を前記試料の深さに対して厚みの積分を実行することにより、前記設定範囲の前記入射角とX線回折強度の関係を計算して計算X線回折強度プロファイルを取得し、 前期計算X線回折強度プロファイルが前記測定X線回折強度プロファイルに一致するように、前記結晶量の深さ分布を変化させてパラメータフィッティングを実施し、前期計算X線回折強度プロファイルが前記測定X線回折強度プロファイルに一致させる前記結晶の深さ分布を前記試料の深さ方向の最終結晶量分布として決定する 処理を含むX線結晶分析方法。(図3)

IPC (1件)：

G01N 23/201

FI (1件)：

G01N23/201

Fターム (9件)：

2G001AA01 ,  2G001BA14 ,  2G001BA18 ,  2G001CA01 ,  2G001DA09 ,  2G001GA13 ,  2G001GA14 ,  2G001HA13 ,  2G001KA08

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 薄膜の測定方法と薄膜の測定装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-256783   出願人：ソニー株式会社
• 密度不均一多層膜解析方法ならびにその装置およびシステム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-165365   出願人：理学電機株式会社
• 半導体デバイスの製造方法および半導体デバイスの成膜装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-079100   出願人：シャープ株式会社, 株式会社リガク
• 複数の結晶相を有する試料の解析方法および装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-251537   出願人：マツダ株式会社