特許
J-GLOBAL ID：201403097691620971
半導体装置及び放熱機構
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
佐々木 聖孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-063939
公開番号（公開出願番号）：特開2014-192209
出願日： 2013年03月26日
公開日（公表日）： 2014年10月06日
要約：
【課題】半導体基板または半導体パッケージ上に取り付けるヒートスプレッダの密着性、熱伝導性およびコスト性を改善すること。【解決手段】この半導体装置10において、半導体基板12は、集積回路あるいは配線類が作り込まれている発熱性の半導体チップまたは半導体中継基板である。この半導体基板12の表層部12aの上に、焼結銀被覆膜14がシリコン酸化膜15を介して密着している。焼結銀被覆膜14の上には接着層16を介してたとえば銅またはアルミニウムからなる放熱フィン(ヒートシンク)18が結合される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
集積回路または配線類が作り込まれている発熱性の半導体基板と、
前記半導体基板の一面に塗布法により密着して形成されるナノ銀粒子より製造される銀薄膜と、
前記半導体基板と前記銀薄膜との密着界面に形成されている1nm以上の膜厚を有するシリコン酸化膜と
を有する半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (10件)：
5E322AA01
, 5E322FA04
, 5F136BC03
, 5F136BC07
, 5F136DA13
, 5F136EA12
, 5F136FA02
, 5F136FA03
, 5F136FA70
, 5F136GA31
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (12件)
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