特許
J-GLOBAL ID：201403097777401199
マスクブランクス及びフォトマスク
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
保立 浩一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-228448
公開番号（公開出願番号）：特開2014-081449
出願日： 2012年10月15日
公開日（公表日）： 2014年05月08日
要約：
【課題】 静電破壊が効果的に防止された構造のフォトマスクが製作できるマスクブランクスを提供する。【解決手段】 マスク基板1の一方の側の全面を覆って静電破壊防止膜2が形成され、静電破壊防止膜2の上に遮光膜3が形成されている。遮光膜3をパターン化することでフォトマスクが製作される。静電破壊防止膜2は、チタン、チタン化合物、タンタル又はタンタル化合物から成る膜であって、露光波長の光に対する透過率が75%以上であり、100KΩ/□以下のシート抵抗値を有する。静電破壊防止膜2がチタン化合物又はタンタル化合物から成る場合、アルゴンガスに酸素ガス、酸素ガス及び窒素ガス、又は炭酸ガス及び窒素ガスを添加したガスを用いてスパッタリングにより作成される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
マスク基板と、マスク基板の一方の側の全面を覆って形成された静電破壊防止膜と、静電破壊防止膜の上に形成された遮光膜とから成り、
静電破壊防止膜は、チタン、チタン化合物、タンタル又はタンタル化合物から成る膜であって、露光波長の光に対する透過率が75%以上であり、100KΩ/□以下のシート抵抗値を有していることを特徴とするマスクブランクス。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (2件)：
引用特許：
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