特許
J-GLOBAL ID：200903066925438630
マスクブランク及び転写用マスクの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤村 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-287272
公開番号（公開出願番号）：特開2009-115957
出願日： 2007年11月05日
公開日（公表日）： 2009年05月28日
要約：
【課題】チャージアップを生じさせないようエッチングマスク膜を基板端面へ成膜させることなく、かつ、アライメントマークの欠けを生じさせないようエッチングマスク膜の成膜範囲を広げることができるマスクブランクの製造方法及びマスクブランクを提供する。【解決手段】電子線描画により電子線レジスト4のレジストパターンを形成する電子線描画用のマスクブランクであって、透明基板1上に、遮光膜2と、前記遮光膜のエッチングに対して耐性を有する無機系材料からなるエッチングマスク膜3がこの順に形成されたマスクブランクの製造方法であって、 前記エッチングマスク膜3を成膜する際に、前記基板の少なくとも側面には成膜されないように遮蔽板にて遮蔽することを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
電子線描画によりレジストパターンを形成する電子線描画用のマスクブランクであって、透明基板上に、遮光膜と、前記遮光膜のエッチングに対して耐性を有する無機系材料からなるエッチングマスク膜がこの順に形成されたマスクブランクの製造方法であって、
前記エッチングマスク膜を成膜する際に、前記基板の少なくとも側面には成膜されないように遮蔽板にて遮蔽することを特徴とするマスクブランクの製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (4件)：
2H095BB09
, 2H095BB10
, 2H095BB25
, 2H095BC16
