特許
J-GLOBAL ID：201503001966852070
半導体装置の製造方法及び基板処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-229880
公開番号（公開出願番号）：特開2014-033229
特許番号：特許第5746744号
出願日： 2013年11月06日
公開日（公表日）： 2014年02月20日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 処理室に収容された基板に対して、プラズマ励起により活性化した第1の窒素含有ガスを供給して前記基板を前処理する前処理工程と、
前記前処理された基板に対して、1分子内にシリコン原子を2つ含む分子から構成される第1のシリコン含有ガスを供給する工程と、
前記処理室を排気する工程と、
前記基板に対して、第2の窒素含有ガスを供給する工程と、
前記処理室を排気する工程と、
を含み、各工程を所定回数行うことにより、前記前処理された基板上に第1のシリコン窒化膜を形成する第1のシリコン窒化膜形成工程と、
前記第1のシリコン窒化膜が形成された基板に対して、1分子内にシリコン原子を1つ含む分子から構成される第2のシリコン含有ガスを供給する工程と、
前記処理室を排気する工程と、
前記基板に対して、前記第2の窒素含有ガスを供給する工程と、
前記処理室を排気する工程と、
を含み、各工程を所定回数行うことにより、前記第1のシリコン窒化膜の上に第2のシリコン窒化膜を形成する第2のシリコン窒化膜形成工程と、
前記第2のシリコン窒化膜が形成された基板に対して、プラズマ励起により活性化した第3の窒素含有ガスを供給して前記基板を後処理する後処理工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/318 ( 200 6.01)
, H01L 21/31 ( 200 6.01)
, C23C 16/34 ( 200 6.01)
H01L 21/318 M
, H01L 21/31 C
, C23C 16/34
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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