特許
J-GLOBAL ID：201203030568152295

GaN結晶の成長方法

発明者：
藤原 伸介

藤原 伸介 について

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森下 昌紀

森下 昌紀 について

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吉田 浩章

吉田 浩章 について

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上松 康二

上松 康二 について

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廣村 友紀

廣村 友紀 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人深見特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-173554
公開番号（公開出願番号）：特開2012-031028
出願日： 2010年08月02日
公開日（公表日）： 2012年02月16日
要約：
【課題】HVPE法において、1100°C以下の結晶成長温度で、大型のGaN結晶を成長させる方法を提供する。【解決手段】所定の面方位の主表面1mおよび複数の側表面1sを有するGaN種結晶基板1を複数準備する工程と、複数のGaN種結晶基板1を、それらの主表面1mが互いに平行にかつそれらの側表面1sが互いに隣り合うように配置する工程と、配置された複数のGaN種結晶基板1の主表面1m上に、ハイドライド気相成長法により、第1のGaN結晶10を成長させる工程と、を備え、第1のGaN結晶10を成長させる工程において、結晶成長温度を980°C以上1100°C以下とすることにより、GaN種結晶基板1の主表面1m上に成長するそれぞれの部分結晶10uが一体化するように成長させる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
所定の面方位の主表面および複数の側表面を有するGaN種結晶基板を複数準備する工程と、 複数の前記GaN種結晶基板を、それらの主表面が互いに平行にかつそれらの側表面が互いに隣り合うように配置する工程と、 配置された複数の前記GaN種結晶基板の主表面上に、ハイドライド気相成長法により、第1のGaN結晶を成長させる工程と、を備え、 前記第1のGaN結晶を成長させる工程において、結晶成長温度を980°C以上1100°C以下とすることにより、前記GaN種結晶基板の主表面上に成長するそれぞれの部分結晶が一体化するように成長させるGaN結晶の成長方法。
IPC (4件)：
C30B 29/38 ,  H01L 21/205 ,  C30B 25/20 ,  C23C 16/34
FI (4件)：
C30B29/38 D ,  H01L21/205 ,  C30B25/20 ,  C23C16/34
Fターム (48件)：
4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077ED04 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EF03 ,  4G077HA02 ,  4G077HA12 ,  4G077TB04 ,  4G077TC13 ,  4G077TK01 ,  4G077TK06 ,  4G077TK08 ,  4K030AA03 ,  4K030AA13 ,  4K030AA18 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030JA06 ,  4K030JA10 ,  4K030LA14 ,  5F045AA01 ,  5F045AA02 ,  5F045AA03 ,  5F045AB14 ,  5F045AC03 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AC15 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AF04 ,  5F045AF13 ,  5F045BB08 ,  5F045DA52 ,  5F045DP04 ,  5F045DP07 ,  5F045DQ06 ,  5F045DQ08 ,  5F045DQ11 ,  5F045EK22
引用特許：
審査官引用 (11件)
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