半導体デバイス及びその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：杉村憲司 , 池田浩 , 福井敏夫
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-541911
公開番号（公開出願番号）：特表2015-534287
出願日： 2013年11月08日
公開日（公表日）： 2015年11月26日
要約：

貫通シリコンビアがなく比較的薄いインターポーザを含む半導体デバイス及びその製造方法を提供する。半導体デバイスの製造方法において、再分配層と誘電体層とを備えるインターポーザをダミー基板上に形成し、半導体ダイをインターポーザの上部に対向する再分配層に接続し、封入材を用いて半導体ダイを封入し、インターポーザからダミー基板を除去し、バンプをインターポーザの下部に対向する再分配層に接続する。

請求項（抜粋）：

半導体デバイスの製造方法であって、再分配層と誘電体層とを備えるインターポーザをダミー基板上に形成し、半導体ダイをインターポーザの上部に対向する再分配層に接続し、封入材を用いて半導体ダイを封入し、インターポーザからダミー基板を除去する、方法。

IPC (4件)：

H01L 23/12 , H01L 23/28 , H01L 23/40 , H01L 23/32

FI (5件)：

H01L23/12 501P , H01L23/12 501B , H01L23/28 Z , H01L23/40 F , H01L23/32 D

Fターム (13件)：

4M109AA01 , 4M109BA07 , 4M109CA05 , 4M109CA21 , 4M109CA22 , 4M109DB16 , 4M109GA10 , 5F136BB14 , 5F136BC05 , 5F136EA23 , 5F136FA01 , 5F136FA12 , 5F136GA01

引用特許：

審査官引用 (7件)

多層配線回路モジュール及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-195018 出願人：ソニー株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-235524 出願人：富士通株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-215409 出願人：NECエレクトロニクス株式会社

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