特許
J-GLOBAL ID：201503005810268811

ワイドバンドギャップ半導体基板の加工方法及びその装置

発明者：
山内 和人

山内 和人 について

, 
礒橋 藍

礒橋 藍 について

, 
佐野 泰久

佐野 泰久 について


出願人/特許権者：
東邦エンジニアリング株式会社

東邦エンジニアリング株式会社 について


代理人 (4件)： 柳野 隆生 ,  森岡 則夫 ,  関口 久由 ,  中川 正人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-049071
公開番号（公開出願番号）：特開2015-173216
出願日： 2014年03月12日
公開日（公表日）： 2015年10月01日
要約：
【課題】 研磨剤や砥粒、環境負荷の大きな溶液を一切使用せず、SiC、GaN、AlGaN、AlNの単結晶を様々な加工速度で加工でき、CMP仕上げ面よりも高品位の表面が得られ、しかもクリーンルームとの相性が良いワイドバンドギャップ半導体基板の加工方法及びその装置を提供する。【解決手段】 被加工物5の直接的な加水分解、あるいは被加工物表面の酸化膜の加水分解を促進する機能を備えた触媒物質を加工基準面3として用い、水1の存在下で、被加工物と加工基準面とを所定圧力で接触若しくは極接近させるとともに、被加工物と加工基準面とを相対運動させて、加工基準面に備わった触媒機能によって被加工物表面の直接的な加水分解あるいは被加工物表面の酸化と該酸化膜の加水分解を加工基準面に近い表面凸部から優先的に進行させ、分解生成物を除去する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
SiC、GaN、AlGaN、AlNの単結晶を被加工物とし、該被加工物の表面を砥粒や研磨剤を用いずに平坦化加工又は任意曲面に加工する加工方法であって、 被加工物の直接的な加水分解、あるいは被加工物表面の酸化膜の加水分解を促進する機能を備えた触媒物質を加工基準面として用い、水の存在下で、前記被加工物と加工基準面とを所定圧力で接触若しくは極接近させるとともに、該被加工物と加工基準面とを相対運動させて、加工基準面に備わった触媒機能によって被加工物表面の直接的な加水分解あるいは被加工物表面の酸化と該酸化膜の加水分解を加工基準面に近い表面凸部から優先的に進行させ、分解生成物を除去することを特徴とするワイドバンドギャップ半導体基板の加工方法。
IPC (3件)：
H01L 21/306 ,  C01B 31/36 ,  C01B 21/06
FI (3件)：
H01L21/306 M ,  C01B31/36 601S ,  C01B21/06 A
Fターム (8件)：
4G146MA14 ,  4G146MB11 ,  4G146MB23 ,  4G146PA07 ,  4G146PA11 ,  5F043AA05 ,  5F043DD16 ,  5F043FF07
引用特許：
審査官引用 (5件)
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引用文献：
審査官引用 (2件)

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