磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果素子の製造方法、磁気ヘッド、磁気記録再生装置、磁気メモリ

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：特許業務法人サクラ国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-131471
公開番号（公開出願番号）：特開2015-212996
出願日： 2015年06月30日
公開日（公表日）： 2015年11月26日
要約：

【課題】CCP-CPP素子のMR変化率を向上させる。【解決手段】磁化が実質的に一方向に固着された磁化固着層と、前記磁化固着層と対向するようにして形成され、磁化が外部磁界に対して変化する磁化自由層と、前記磁化固着層と前記磁化自由層との間に位置し、絶縁層、及びこの絶縁層を層方向に電流を通過させる導電体とを有する電流狭窄層を含むスペーサ層とを備える磁気抵抗効果素子において、前記磁化自由層の層中、並びに前記磁化自由層及び前記スペーサ層の界面の少なくとも一か所に、Si、Mg、及びBから選択されFeよりも酸化物生成自由エネルギーが低い元素を少なくとも一つ含む機能層を設ける。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1の電極と、第2の電極と、前記1の電極と前記第2の電極との間に設けられた反強磁性層と、前記第2の電極と前記反強磁性層との間に設けられ磁化が実質的に一方向に固着された磁化固着層と、前記第2の電極と前記磁化固着層との間に設けられ、酸化物を有する絶縁層、及びこの絶縁層を層方向に電流を通過させる導電体とを有する電流狭窄層を含むスペーサ層と、前記第2の電極と前記スペーサ層との間に設けられ磁化が外部磁界に対して変化する磁化自由層と、前記磁化自由層の層中、並びに前記磁化自由層及び前記スペーサ層の界面の少なくとも一か所に設けられ、Si、Mg、及びBから選択されFeよりも酸化物生成自由エネルギーが低い元素を少なくとも一つ含む機能層と、を備えることを特徴とする、磁気抵抗効果素子。

IPC (5件)：

G11B 5/39 , H01L 43/08 , H01L 21/824 , H01L 27/105 , H01L 43/12

FI (4件)：

G11B5/39 , H01L43/08 Z , H01L27/10 447 , H01L43/12

Fターム (63件)：

4M119AA17 , 4M119BB01 , 4M119BB03 , 4M119DD04 , 4M119DD05 , 4M119DD06 , 4M119DD07 , 4M119DD08 , 4M119DD09 , 4M119DD33 , 4M119DD37 , 4M119DD42 , 4M119DD45 , 4M119EE03 , 4M119EE22 , 4M119EE27 , 4M119EE29 , 4M119FF05 , 4M119FF15 , 4M119FF17 , 4M119JJ02 , 5D034BA03 , 5D034BA06 , 5D034BA12 , 5D034BA15 , 5D034BA30 , 5D034CA06 , 5D034DA04 , 5D034DA07 , 5F092AA02 , 5F092AB02 , 5F092AB07 , 5F092AB08 , 5F092AC08 , 5F092AC12 , 5F092AD03 , 5F092AD12 , 5F092BB09 , 5F092BB10 , 5F092BB15 , 5F092BB17 , 5F092BB22 , 5F092BB23 , 5F092BB24 , 5F092BB31 , 5F092BB32 , 5F092BB34 , 5F092BB35 , 5F092BB36 , 5F092BB42 , 5F092BB53 , 5F092BC03 , 5F092BC04 , 5F092BC07 , 5F092BC13 , 5F092BC18 , 5F092BC19 , 5F092BC22 , 5F092BE13 , 5F092BE14 , 5F092BE21 , 5F092CA13 , 5F092GA05

引用特許：

審査官引用 (10件)

磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及び磁気再生装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-190511 出願人：株式会社東芝
磁気抵抗効果型磁気ヘッド及び磁気記録再生装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-349310 出願人：株式会社日立製作所
磁気抵抗効果素子、磁気再生ヘッド及び磁気情報再生装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-075140 出願人：株式会社東芝

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