デバイス作製用基板、その製造方法及び近赤外線発光デバイス

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-037437
公開番号（公開出願番号）：特開2015-162605
出願日： 2014年02月27日
公開日（公表日）： 2015年09月07日
要約：

【課題】本発明は、格子歪みがなく、平坦な一面を有するデバイス作製用基板、その簡便な製造方法、上記構造を用いた近赤外線発光デバイスを提供することを課題とする。【解決手段】GaAs基板又はGaAs基板11に形成したGaAsバッファ層12の(111)A面12aに格子緩和層13と被格子緩和層14をこの順序で積層したデバイス作製用基板であって、格子緩和層13が膜厚0.7nm以上1.8nm以下のInAs薄膜であり、被格子緩和層14がInM(III)As薄膜(ここで、M(III)がIII族の金属原子である。)であることを特徴とするデバイス作製用基板31を用いることにより、前記課題を解決できる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

GaAs基板又はGaAs基板に形成したGaAsバッファ層の(111)A面に格子緩和層と被格子緩和層をこの順序で積層したデバイス作製用基板であって、前記格子緩和層が膜厚0.7nm以上1.8nm以下のInAs薄膜であり、前記被格子緩和層がInM(III)As薄膜(ここで、M(III)がIII族の金属原子である。)であることを特徴とするデバイス作製用基板。

IPC (5件)：

H01L 21/203 , H01L 33/16 , H01L 33/30 , H01L 21/205 , H01L 21/20

FI (5件)：

H01L21/203 M , H01L33/00 160 , H01L33/00 184 , H01L21/205 , H01L21/20

Fターム (36件)：

5F045AB10 , 5F045AF05 , 5F045BB11 , 5F045CA10 , 5F045DA53 , 5F103AA04 , 5F103DD30 , 5F103GG01 , 5F103HH03 , 5F103LL02 , 5F103PP20 , 5F141AA40 , 5F141CA04 , 5F141CA05 , 5F141CA23 , 5F141CA34 , 5F141CA66 , 5F141FF14 , 5F152LL09 , 5F152LN02 , 5F152LN04 , 5F152MM08 , 5F152MM16 , 5F152NN07 , 5F152NN27 , 5F152NP06 , 5F152NP07 , 5F152NQ05 , 5F152NQ08 , 5F241AA40 , 5F241CA04 , 5F241CA05 , 5F241CA23 , 5F241CA34 , 5F241CA66 , 5F241FF14

引用特許：

出願人引用 (7件)

化合物半導体結晶装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-137788 出願人：富士通株式会社
特開平2-074600
特開平4-045519

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審査官引用 (7件)

化合物半導体結晶装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-137788 出願人：富士通株式会社
特開平2-074600
特開平4-045519

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引用文献：

出願人引用 (1件)

Lattice Relaxation Of InAs Heteroepitaxy on GaAs

審査官引用 (1件)

Lattice Relaxation Of InAs Heteroepitaxy on GaAs

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