特許
J-GLOBAL ID：200903038548228614

半導体発光素子、その製造方法およびその半導体発光素子を用いた半導体レーザジャイロ

発明者：
シャンムカム サラバナン

シャンムカム サラバナン について

, 
原山 卓久

原山 卓久 について


出願人/特許権者：
株式会社国際電気通信基礎技術研究所

株式会社国際電気通信基礎技術研究所 について


代理人 (2件)： 松山 隆夫 ,  鳥居 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-097515
公開番号（公開出願番号）：特開2006-278850
出願日： 2005年03月30日
公開日（公表日）： 2006年10月12日
要約：
【課題】 1.1μmよりも短波長な発光波長を有する半導体発光素子を提供する。【解決手段】 半導体レーザは、活性層6を備える。活性層6は、6個の量子ドット層61と、5個の間隙層62とを含む。6個の量子ドット層61および5個の間隙層62は、交互に積層される。5個の間隙層62の各々は、ノンドープのGaAsからなる。そして、5個の間隙層62の各々は、30〜50nmの膜厚を有する。6個の量子ドット層61の各々は、量子ドット611とキャップ層612とからなる。量子ドット611は、InAsからなり、キャップ層612は、AlyGa1-yAs(y=0.05〜0.5)からなる。量子ドット611は、1.8〜2.4モノレイヤーのInAsをMBEにより結晶成長することにより形成される。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
第1の波長よりも短い第2の波長を発光する半導体発光素子であって、 第1のバリア層と、 前記第1のバリア層に接して形成された活性層と、 前記活性層に接して形成された第2のバリア層とを備え、 前記活性層は、 量子ドットと、 前記量子ドットを覆うように形成され、前記第1の波長を発光するときの第1のバンドギャップよりも大きい第2のバンドギャップを有するキャップ層とを含む、半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01S 5/343 ,  H01L 21/203
FI (2件)：
H01S5/343 ,  H01L21/203 M
Fターム (24件)：
5F103AA04 ,  5F103BB08 ,  5F103DD03 ,  5F103DD05 ,  5F103GG01 ,  5F103JJ03 ,  5F103KK01 ,  5F103LL03 ,  5F103NN01 ,  5F103NN02 ,  5F103NN04 ,  5F173AD11 ,  5F173AF09 ,  5F173AF15 ,  5F173AG12 ,  5F173AG22 ,  5F173AH03 ,  5F173AP10 ,  5F173AP33 ,  5F173AP61 ,  5F173AR02 ,  5F173AR14 ,  5F173AR23 ,  5F173AR25
引用特許：
出願人引用 (4件)
  • リングレーザジャイロ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-164666   出願人：日本航空電子工業株式会社
  • 光ジャイロ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-033277   出願人：キヤノン株式会社
  • 特開平4-174317号公報
全件表示
審査官引用 (7件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM