特許
J-GLOBAL ID:201503011872363836
半導体装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (6件):
大塚 康徳
, 高柳 司郎
, 大塚 康弘
, 木村 秀二
, 下山 治
, 永川 行光
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-147073
公開番号(公開出願番号):特開2015-019030
出願日: 2013年07月12日
公開日(公表日): 2015年01月29日
要約:
【課題】複数の集積回路を効率的に積層し、集積回路間のタイミング調整を容易とする技術を提供する。【解決手段】積層された複数の集積回路を有する半導体装置であって、前記複数の集積回路は、信号生成手段を含む第1の集積回路と、該第1の集積回路の上に積層され、前記信号生成手段で生成された信号が供給される複数の第2の集積回路とを含み、前記第1の集積回路と、前記複数の第2の集積回路とは、それぞれ接続手段を備え、前記接続手段を介して互いに電気的に接続され、前記第1の集積回路は前記接続手段を介して前記複数の第2の集積回路に前記信号を出力し、前記複数の第2の集積回路のそれぞれは、コンポーネントと、前記接続手段からの前記信号を前記コンポーネントへ供給する分配器とを含み、前記接続手段と前記分配器との距離、及び、前記コンポーネントと前記分配器との距離は、前記複数の第2の集積回路の間で互いに同一である。【選択図】図1
請求項(抜粋):
積層された複数の集積回路を有する半導体装置であって、
前記複数の集積回路は、信号生成手段を含む第1の集積回路と、該第1の集積回路の上に積層され、前記信号生成手段で生成された信号が供給される複数の第2の集積回路とを含み、
前記第1の集積回路と、前記複数の第2の集積回路とは、それぞれ接続手段を備え、前記接続手段を介して互いに電気的に接続され、前記第1の集積回路は前記接続手段を介して前記複数の第2の集積回路に前記信号を出力し、
前記複数の第2の集積回路のそれぞれは、コンポーネントと、前記接続手段からの前記信号を前記コンポーネントへ供給する分配器とを含み、前記接続手段と前記分配器との距離、及び、前記コンポーネントと前記分配器との距離は、前記複数の第2の集積回路の間で互いに同一であることを特徴とする半導体装置。
IPC (6件):
H01L 21/822
, H01L 27/04
, H01L 25/065
, H01L 25/07
, H01L 25/18
, H01L 27/00
FI (4件):
H01L27/04 D
, H01L25/08 Z
, H01L27/00 301C
, H01L27/04 A
Fターム (12件):
5F038BE07
, 5F038CA03
, 5F038CA12
, 5F038CA16
, 5F038CD06
, 5F038CD09
, 5F038DF03
, 5F038DF04
, 5F038DF05
, 5F038DF14
, 5F038EZ07
, 5F038EZ20
引用特許:
出願人引用 (7件)
-
半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2009-010499
出願人:株式会社日立製作所
-
半導体装置及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2011-188141
出願人:エルピーダメモリ株式会社
-
半導体集積回路及びクロック同期化制御方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2008-288836
出願人:株式会社ルネサステクノロジ
-
半導体集積回路装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2009-028037
出願人:株式会社日立製作所
-
マルチチッププロセッサ
公報種別:公開公報
出願番号:特願2008-279059
出願人:株式会社日立製作所
-
半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2010-029259
出願人:エルピーダメモリ株式会社
-
半導体集積回路装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2003-428888
出願人:エルピーダメモリ株式会社
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審査官引用 (7件)
-
半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2009-010499
出願人:株式会社日立製作所
-
半導体装置及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2011-188141
出願人:エルピーダメモリ株式会社
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半導体集積回路及びクロック同期化制御方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2008-288836
出願人:株式会社ルネサステクノロジ
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半導体集積回路装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2009-028037
出願人:株式会社日立製作所
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マルチチッププロセッサ
公報種別:公開公報
出願番号:特願2008-279059
出願人:株式会社日立製作所
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半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2010-029259
出願人:エルピーダメモリ株式会社
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半導体集積回路装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2003-428888
出願人:エルピーダメモリ株式会社
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