特許
J-GLOBAL ID:201503018634921370

プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 佐々木 聖孝
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2014-079837
公開番号(公開出願番号):特開2015-201552
出願日: 2014年04月09日
公開日(公表日): 2015年11月12日
要約:
【課題】いわゆるチルティング現象を効果的に抑制し、生産効率の向上と生産コストの低減を図ること。【解決手段】この容量結合型プラズマエッチング装置において、上部電極26の上部には、電磁石32が配設されている。電磁石32は、コア部材34およびコイル36,38,40,42を有している。コア部材34は、柱状部44、複数の円筒部46,48,50,52およびバックプレート部54が一体形成された構造を有している。電磁石駆動回路56は、制御部60の制御の下でコイル36,38,40,42のいずれか1つを択一的に任意の励起電流で通電させることができるだけでなく、任意の組み合わせで複数のコイルを同時に共通または個別の任意の励起電流で通電させることができる。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
被処理基板に処理ガスのプラズマを作用させて処理を施すプラズマ処理装置であって、 前記被処理基板を出し入れ可能に収容する処理容器と、 前記処理容器内に配設され、前記被処理基板が載置される下部電極と、 前記処理容器内に配設され、前記下部電極と対向する上部電極と、 前記上部電極と前記下部電極との間に高周波電力を印加する高周波電源と、 前記処理容器の上部または上方で前記下部電極の中心を上下方向に通過する中心軸線を中心とする1つまたは複数の環状コイルを有する電磁石と、 を有するプラズマ処理装置。
IPC (2件):
H01L 21/306 ,  H05H 1/46
FI (2件):
H01L21/302 101B ,  H05H1/46 M
Fターム (8件):
5F004AA01 ,  5F004BA06 ,  5F004BA08 ,  5F004BA09 ,  5F004BB07 ,  5F004BB23 ,  5F004BB28 ,  5F004EA37
引用特許:
審査官引用 (7件)
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