特許
J-GLOBAL ID：201503021635683201

メモリセル、係るメモリセルを含む半導体デバイス構造、システム、および製作の方法

発明者：
サンデュ,ガーテ エス.

サンデュ,ガーテ エス. について

, 
キニー,ウェイン アイ.

キニー,ウェイン アイ. について


出願人/特許権者：
マイクロン テクノロジー, インク.

マイクロン テクノロジー, インク. について


代理人 (2件)： 大菅 義之 ,  野村 泰久
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-501917
公開番号（公開出願番号）：特表2015-511072
出願日： 2013年03月21日
公開日（公表日）： 2015年04月13日
要約：
フリー領域を有するセルコアを含むメモリセルが開示される。フリー領域はセルコア内の磁化方向に影響を及ぼす歪みを示す。ストレッサー構造がセルコアの少なくとも1つの部分に対して応力を作用させると、フリー領域の歪み状態が生じることとなり得る。係るメモリセルを含む半導体デバイス構造ならびにシステム、および係るメモリセルを形成するための方法も開示される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
垂直の磁化方向を生じさせる歪みを示すフリー領域を含む磁気セルコアを含む、少なくとも1つのメモリセル、 を含む半導体デバイス。
IPC (4件)：
H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 29/82 ,  H01L 43/08
FI (3件)：
H01L27/10 447 ,  H01L29/82 Z ,  H01L43/08 Z
Fターム (40件)：
4M119AA03 ,  4M119AA11 ,  4M119AA19 ,  4M119BB01 ,  4M119BB03 ,  4M119CC05 ,  4M119CC08 ,  4M119DD06 ,  4M119DD17 ,  4M119DD24 ,  4M119DD26 ,  4M119DD33 ,  4M119DD45 ,  4M119EE24 ,  4M119EE27 ,  4M119GG01 ,  4M119HH01 ,  4M119HH04 ,  4M119HH05 ,  4M119HH13 ,  4M119KK04 ,  5F092AB08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD23 ,  5F092AD25 ,  5F092BB16 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB33 ,  5F092BB34 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB37 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB81 ,  5F092BB82 ,  5F092BC04 ,  5F092BC42 ,  5F092BE12
引用特許：
出願人引用 (8件)
全件表示
審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM