特許
J-GLOBAL ID：201503057090633877

窒化ケイ素セラミックスおよびその製造方法、半導体素子

発明者：
▲高▼橋 拓実

▲高▼橋 拓実 について

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多々見 純一

多々見 純一 について

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田中 諭

田中 諭 について


出願人/特許権者：
公益財団法人神奈川科学技術アカデミー

公益財団法人神奈川科学技術アカデミー について

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国立大学法人横浜国立大学

国立大学法人横浜国立大学 について

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国立大学法人長岡技術科学大学

国立大学法人長岡技術科学大学 について


代理人 (5件)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  渡邊 隆 ,  鈴木 三義 ,  村山 靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-048165
公開番号（公開出願番号）：特開2015-063440
出願日： 2014年03月11日
公開日（公表日）： 2015年04月09日
要約：
【課題】板厚方向に熱伝導率が高い窒化ケイ素セラミックスおよびその製造方法、並びに、窒化ケイ素セラミックスを備えた半導体素子を提供する。【解決手段】柱状のβ窒化ケイ素粒子11を含んでなる基板12であって、β窒化ケイ素粒子11のc軸が基板12の厚み方向に配向している窒化ケイ素セラミックス10。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
柱状のβ窒化ケイ素粒子を含んでなる基板であって、 前記β窒化ケイ素粒子のc軸が前記基板の厚み方向に配向していることを特徴とする窒化ケイ素セラミックス。
IPC (3件)：
C04B 35/584 ,  C30B 29/38 ,  C30B 1/02
FI (3件)：
C04B35/58 102C ,  C30B29/38 B ,  C30B1/02
Fターム (23件)：
4G001BA08 ,  4G001BA32 ,  4G001BB08 ,  4G001BB32 ,  4G001BC12 ,  4G001BC14 ,  4G001BC52 ,  4G001BC54 ,  4G001BC55 ,  4G001BD03 ,  4G001BE03 ,  4G001BE12 ,  4G077AA02 ,  4G077AA07 ,  4G077AB02 ,  4G077AB03 ,  4G077BE14 ,  4G077CA03 ,  4G077CA08 ,  4G077CA09 ,  4G077EC02 ,  4G077EG11 ,  4G077HA12
引用特許：
審査官引用 (5件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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