特許
J-GLOBAL ID：201503079671334106
発光装置および原子発振器
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
布施 行夫
, 大渕 美千栄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-215566
公開番号（公開出願番号）：特開2015-079831
出願日： 2013年10月16日
公開日（公表日）： 2015年04月23日
要約：
【課題】小さい変化量で波長を変化させることができる発光装置を提供する。【解決手段】本発明に係る発光装置100は、第1導電型の第1半導体多層膜ミラー20と、第2導電型の第2半導体多層膜ミラー22と、第1半導体多層膜ミラー20と第2半導体多層膜ミラー22との間に形成された活性層40と、第1半導体多層膜ミラー20と活性層40との間に形成された半絶縁型の第3半導体多層膜ミラー24と、第3半導体多層膜ミラー24と活性層40との間に形成された、第1導電型のコンタクト層30と、第1半導体多層膜ミラー20に電気的に接続される第1電極60と、第2半導体多層膜ミラー22に電気的に接続される第2電極62と、コンタクト層30とオーミックコンタクトされた第3電極64と、を含み、第3半導体多層膜ミラー24は、活性層40にて発生する光のエネルギーよりもバンドギャップエネルギーが大きい材料によって構成されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1導電型の第1半導体多層膜ミラーと、
前記第1導電型と異なる第2導電型の第2半導体多層膜ミラーと、
前記第1半導体多層膜ミラーと前記第2半導体多層膜ミラーとの間に形成された活性層と、
前記第1半導体多層膜ミラーと前記活性層との間に形成された半絶縁型の第3半導体多層膜ミラーと、
前記第3半導体多層膜ミラーと前記活性層との間に形成された、前記第1導電型のコンタクト層と、
前記第1半導体多層膜ミラーに電気的に接続される第1電極と、
前記第2半導体多層膜ミラーに電気的に接続される第2電極と、
前記コンタクト層とオーミックコンタクトされた第3電極と、
を含み、
前記第3半導体多層膜ミラーは、前記活性層にて発生する光のエネルギーよりもバンドギャップエネルギーが大きい材料によって構成されている、ことを特徴とする発光装置。
IPC (3件)：
H01S 5/183
, H01S 1/06
, H03L 7/26
H01S5/183
, H01S1/06
, H03L7/26
5F173AC03
, 5F173AC13
, 5F173AC26
, 5F173AC35
, 5F173AC42
, 5F173AC48
, 5F173AC52
, 5F173AH02
, 5F173AL07
, 5F173AL13
, 5F173AL14
, 5F173AL15
, 5F173AP05
, 5F173AP09
, 5F173AP33
, 5F173AP67
, 5J106AA01
, 5J106CC07
, 5J106GG02
, 5J106KK05
, 5J106LL10
