磁気抵抗素子の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (2件)：大森純一 , 折居章
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-177686
公開番号（公開出願番号）：特開2015-046529
出願日： 2013年08月29日
公開日（公表日）： 2015年03月12日
要約：

【課題】記憶層、障壁層及び参照層を高精度にエッチングすることができる磁気抵抗素子の製造方法を提供する。【解決手段】本発明の一実施形態に係る磁気抵抗素子の製造方法は、基板11上に、第1の強磁性膜を含む参照層13と、第2の強磁性膜を含む記憶層15と、上記第1の強磁性膜と上記第2の強磁性膜との間に配置されたMgOからなる障壁層14と、を有する積層体Lを形成することを含む。積層体Lの上に、Ru膜からなるマスク17Mが形成される。塩素系ガスのプラズマを形成することで、マスク17Mを介して記憶層15がエッチングされる。基板11にバイアス電圧を印加し、アルゴンと塩素系ガスとの混合ガスのプラズマを形成することで、マスク17Mを介して障壁層14と参照層13とがエッチングされる。【選択図】図9

請求項（抜粋）：

基板上に、第1の強磁性膜を含む参照層と、第2の強磁性膜を含む記憶層と、前記第1の強磁性膜と前記第2の強磁性膜との間に配置されたMgOからなる障壁層と、を有する積層体を形成し、前記積層体の上に、Ru膜からなるマスクを形成し、塩素系ガスのプラズマを形成することで、前記マスクを介して前記記憶層をエッチングし、前記基板にバイアス電圧を印加し、アルゴンと塩素系ガスとの混合ガスのプラズマを形成することで、前記マスクを介して前記障壁層と前記参照層とをエッチングする磁気抵抗素子の製造方法。

IPC (9件)：

H01L 43/12 , H01L 29/82 , H01L 43/08 , H01L 21/824 , H01L 27/105 , H01L 21/306 , C23F 4/00 , G11B 5/39 , G01R 33/09

FI (8件)：

H01L43/12 , H01L29/82 Z , H01L43/08 Z , H01L27/10 447 , H01L21/302 104C , C23F4/00 A , G11B5/39 , G01R33/06 R

Fターム (67件)：

2G017AA01 , 2G017AD55 , 2G017CB01 , 4K057DB01 , 4K057DB08 , 4K057DB11 , 4K057DB15 , 4K057DD02 , 4K057DD03 , 4K057DE01 , 4K057DE06 , 4K057DN01 , 4M119AA19 , 4M119BB01 , 4M119CC05 , 4M119DD05 , 4M119DD06 , 4M119JJ12 , 4M119JJ13 , 5D034BA05 , 5D034BA06 , 5D034BA09 , 5D034DA07 , 5F004AA09 , 5F004BA20 , 5F004BB13 , 5F004BB18 , 5F004BB22 , 5F004BB25 , 5F004BB26 , 5F004CA01 , 5F004CA02 , 5F004CA03 , 5F004CA04 , 5F004CA06 , 5F004DA04 , 5F004DA11 , 5F004DA13 , 5F004DA16 , 5F004DA23 , 5F004DA26 , 5F004DB07 , 5F004DB08 , 5F004DB12 , 5F004EA05 , 5F004EA07 , 5F004EA28 , 5F004EB08 , 5F092AA11 , 5F092AB01 , 5F092AB02 , 5F092AB06 , 5F092AC12 , 5F092AD03 , 5F092AD25 , 5F092BB04 , 5F092BB23 , 5F092BB24 , 5F092BB36 , 5F092BB43 , 5F092BB44 , 5F092BB55 , 5F092BC04 , 5F092BC12 , 5F092BC13 , 5F092CA08 , 5F092GA05

引用特許：

出願人引用 (7件)

磁気抵抗素子の製造方法及び製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-085123 出願人：株式会社アルバック
磁気スイッチング素子及び磁気メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-397386 出願人：株式会社東芝
磁気抵抗効果素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-157564 出願人：ソニー株式会社

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