特許
J-GLOBAL ID:200903064454155134
トンネル接合素子のエッチング加工方法および装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
志賀 正武
, 青山 正和
, 鈴木 慎吾
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-349733
公開番号(公開出願番号):特開2006-165030
出願日: 2004年12月02日
公開日(公表日): 2006年06月22日
要約:
【課題】 トンネルバリア層のショートを防止することが可能な、トンネル接合素子のエッチング加工方法を提供する。【解決手段】 (c)トンネル接合膜10aのトンネルバリア層15を貫通して、所定パターンの凹部20を形成する異方性ドライエッチング工程と、(d)凹部20の側壁付着物(22)を除去する等方性ドライエッチング工程とを有する。その等方性ドライエッチング工程は、100Pa以上1000Pa以下の反応ガスを導入し、その反応ガスにプラズマを点火しつつバイアス電力を印加しないで行う。【選択図】 図2
請求項(抜粋):
トンネル接合膜のトンネルバリア層を貫通して、所定パターンの凹部を形成する異方性ドライエッチング工程と、
前記凹部の側壁への付着物を除去する等方性ドライエッチング工程と、
を有することを特徴とするトンネル接合素子のエッチング加工方法。
IPC (5件):
H01L 43/12
, H01L 43/08
, H01L 21/306
, H01L 27/105
, H01L 21/824
FI (4件):
H01L43/12
, H01L43/08 Z
, H01L21/302 105A
, H01L27/10 447
Fターム (18件):
5F004BA19
, 5F004BA20
, 5F004BB02
, 5F004CA02
, 5F004CA03
, 5F004DA04
, 5F004DA23
, 5F004DB14
, 5F004DB29
, 5F004EA06
, 5F004EA13
, 5F004EA29
, 5F004EA34
, 5F083FZ10
, 5F083GA06
, 5F083GA27
, 5F083PR03
, 5F083PR22
引用特許:
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (10件)
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