特許
J-GLOBAL ID：201603011386010067
SiC結晶の成長方法、SiC結晶の製造装置、および結晶基板
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-275587
公開番号（公開出願番号）：特開2013-124213
特許番号：特許第5936343号
出願日： 2011年12月16日
公開日（公表日）： 2013年06月24日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 SiC結晶の成長方法であって、
サファイア基板の融点以下でシリコンの融点以上の温度に加熱して、カーボンを含む膜を介してサファイア基板と溶融シリコンが接する状態を実現する工程と、
前記カーボンを含む膜の一部が消失し、その消失部でサファイア基板と溶融シリコンが直接接触するに至るまで前記状態を持続する工程と、
前記カーボンを含む膜の一部が消失した後に、溶融シリコンを冷却する工程と、
を備えることを特徴とするSiC結晶の成長方法。
IPC (3件)：
C30B 29/36 ( 200 6.01)
, C30B 19/12 ( 200 6.01)
, H01L 21/208 ( 200 6.01)
C30B 29/36 A
, C30B 19/12
, H01L 21/208 D
