特許
J-GLOBAL ID：201603011966364214

半導体装置製造方法

発明者：
亀田 直人

亀田 直人 について

, 
小杉 亮治

小杉 亮治 について


出願人/特許権者：
株式会社明電舎

株式会社明電舎 について

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国立研究開発法人産業技術総合研究所

国立研究開発法人産業技術総合研究所 について


代理人 (3件)： 小林 博通 ,  鵜澤 英久 ,  橋本 剛
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-237368
公開番号（公開出願番号）：特開2014-086711
特許番号：特許第6024962号
出願日： 2012年10月29日
公開日（公表日）： 2014年05月12日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 絶縁膜が形成された炭化珪素単結晶基板を処理炉内に配置し、前記処理炉に80体積%以上のオゾンを供給し、処理温度1100°C以上、処理圧力100〜7600Paの処理条件で酸化処理し、前記絶縁膜と前記炭化珪素単結晶基板との界面に界面酸化膜を形成する製膜工程を、有する ことを特徴とする半導体装置製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/316 ( 200 6.01) ,  H01L 21/31 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 29/78 ( 200 6.01)
FI (4件)：
H01L 21/316 M ,  H01L 21/31 E ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 301 B
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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