特許
J-GLOBAL ID:201603012477151131
垂直ナノワイヤアレイ上の穿孔コンタクト電極
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (4件):
木村 満
, 毛受 隆典
, 森川 泰司
, 桜田 圭
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2015-142314
公開番号(公開出願番号):特開2016-029370
出願日: 2015年07月16日
公開日(公表日): 2016年03月03日
要約:
【課題】支持体と垂直に設けられ、当該支持体と接合する第二の端部のみを有する複数のナノワイヤを用いたガスセンサを提供する。【解決手段】各ナノワイヤは、支持体と接触する第二の端部を有する。電極は複数の穿孔を含む。支持体およびナノワイヤを準備することと、各ナノワイヤの一部を覆うとともに、各ナノワイヤの第一の端部を露出させておく充填材料の層を堆積させることと、充填材料の上に複数のナノ粒子(nanoparticles)を堆積させることと、ナノ粒子、ナノワイヤの端部および任意の露出した充填材料の上に電極材料を堆積させることと、ナノ粒子および充填材料を除去して各ナノワイヤの第一の端部と接触する電極を形成し、電極が複数の穿孔を有する。【選択図】図1D
請求項(抜粋):
支持体と、
前記支持体と垂直な複数のナノワイヤと、
前記各ナノワイヤの第一の端部と接続する電極と、を備え、
前記各ナノワイヤは前記支持体と接続する第二の端部を有するとともに、
前記支持体は第二の電極であるか、または前記ナノワイヤと対向する面上の電気コンタクトを備える構造体。
IPC (5件):
G01N 27/12
, B82Y 30/00
, C01B 33/02
, H01L 29/06
, G01N 27/30
FI (5件):
G01N27/12 B
, B82Y30/00
, C01B33/02 Z
, H01L29/06 601N
, G01N27/30 F
引用特許:
引用文献:
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