特許
J-GLOBAL ID：201603013582121732

半導体装置

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

, 
須澤 英臣

須澤 英臣 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-244908
公開番号（公開出願番号）：特開2014-099430
特許番号：特許第6033045号
出願日： 2012年11月06日
公開日（公表日）： 2014年05月29日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層を包む酸化物層と、を含む多層膜と、 前記多層膜上のゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜上のゲート電極と、を有し、 前記多層膜の端部は曲率を有し、 前記酸化物層のエネルギーギャップは、前記酸化物半導体層のエネルギーギャップよりも大きく、 前記酸化物半導体層中のインジウムの割合は、前記酸化物層中のインジウムの割合よりも高いことを特徴とする半導体装置。
IPC (9件)：
H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 27/10 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8242 ( 200 6.01) ,  H01L 27/108 ( 200 6.01) ,  H01L 27/105 ( 200 6.01) ,  H01L 21/3065 ( 200 6.01) ,  H01L 21/363 ( 200 6.01) ,  C23C 14/08 ( 200 6.01)
FI (13件)：
H01L 29/78 618 C ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 618 E ,  H01L 29/78 626 C ,  H01L 29/78 627 C ,  H01L 29/78 619 A ,  H01L 27/10 461 ,  H01L 27/10 481 ,  H01L 27/10 321 ,  H01L 27/10 441 ,  H01L 21/302 105 A ,  H01L 21/363 ,  C23C 14/08 N
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (9件)
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