特許
J-GLOBAL ID：201603014420746760

ウエットエッチング方法、基板液処理装置および記憶媒体

発明者：
難 波 宏 光

難 波 宏 光 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (3件)： 勝沼 宏仁 ,  永井 浩之 ,  森 秀行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-014764
公開番号（公開出願番号）：特開2016-139743
出願日： 2015年01月28日
公開日（公表日）： 2016年08月04日
要約：
【課題】2層の膜が形成されている基板の上層のベベルエッチング処理を良好に行うこと。【解決手段】ウエットエッチング方法は、基板(W)を回転させることと、回転している基板の第1面(デバイス形成面)に、エッチング用の薬液を供給することと、基板に薬液を供給しているときに、基板の第2面(デバイス非形成面)にエッチング阻害液(DIW)を供給することと、を備える。エッチング阻害液が基板の端縁(WE)を通って第1面に回り込み、第1面の周縁部分のうちの基板の端縁から、第1面上において端縁よりも半径方向内側にある第1半径方向位置に至るまでの第1領域に到達するようにする。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
第1面と、前記第1面の裏側の第2面とを有し、前記基板の少なくとも前記第1面の周縁部分に、下層としての第1層と上層としての第2層とが積層されている基板をウエットエッチングする方法であって、 前記基板を回転させることと、 回転している前記基板の前記第1面に、前記第1層および前記第2層の両方をエッチングし得る薬液を供給することと、 前記基板に前記薬液を供給しているときに、前記基板の前記第2面にエッチング阻害液を供給することと、を有する第1エッチング工程を備え、 前記第1エッチング工程は、前記エッチング阻害液が前記基板の端縁を通って前記第1面に回り込み、前記第1面の周縁部分のうちの前記基板の前記端縁から、前記第1面上において前記端縁よりも半径方向内側にある第1半径方向位置に至るまでの第1領域に到達するように、前記基板を回転させて前記エッチング阻害液を供給することを特徴とする、ウエットエッチング方法。
IPC (2件)：
H01L 21/306 ,  H01L 21/304
FI (4件)：
H01L21/306 R ,  H01L21/306 A ,  H01L21/304 651B ,  H01L21/304 643A
Fターム (19件)：
5F043AA07 ,  5F043AA10 ,  5F043EE07 ,  5F043EE08 ,  5F043GG10 ,  5F157AA12 ,  5F157AA14 ,  5F157AA28 ,  5F157AA76 ,  5F157AB02 ,  5F157AB16 ,  5F157AB33 ,  5F157AB44 ,  5F157AB90 ,  5F157AC01 ,  5F157AC26 ,  5F157BB24 ,  5F157CB01 ,  5F157CB13
引用特許：
審査官引用 (8件)
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