サセプタの洗浄方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：木下茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-203789
公開番号（公開出願番号）：特開2016-072585
出願日： 2014年10月02日
公開日（公表日）： 2016年05月09日
要約：

【課題】カーボンサセプタに付着した付着物の除去残しが生じることなく、エッチング時間を短縮し、クリーニングガスの無駄な消費を抑えること。【解決手段】サセプタ3を軸周りに回転させながら加熱するとともに、反応炉2内に所定のクリーニングガスを供給するステップと、第1の期間と該第1の期間に続く第2の期間とにおける前記サセプタの表面温度をそれぞれ検出し、それらの温度差を測定する工程を、前記温度差が第1の温度差以上になるまで繰り返すステップと、前記温度差が第1の温度差以上になった後に、第1の期間と該第1の期間に続く第2の期間とにおける前記サセプタの表面温度をそれぞれ検出し、それらの温度差を測定する工程を、前記温度差が第2の温度差以下になるまで繰り返すステップと、前記温度差が第2の温度差以下になってから所定時間の経過後にクリーニングガスの供給を停止するステップとを含む。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

反応管内のサセプタに付着した付着物をエッチングにより除去するサセプタの洗浄方法であって、前記サセプタを軸周りに回転させながら加熱するとともに、前記反応炉内に所定のクリーニングガスを供給するステップと、第1の期間と該第1の期間に続く第2の期間とにおける前記サセプタの表面温度をそれぞれ検出し、それらの温度差を測定する工程を、前記温度差が第1の温度差以上になるまで繰り返すステップと、前記温度差が第1の温度差以上になった後に、第1の期間と該第1の期間に続く第2の期間とにおける前記サセプタの表面温度をそれぞれ検出し、それらの温度差を測定する工程を、前記温度差が第2の温度差以下になるまで繰り返すステップと、前記温度差が第2の温度差以下になってから所定時間の経過後にクリーニングガスの供給を停止するステップとを含むことを特徴とするサセプタの洗浄方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 , H01L 21/306 , C23C 16/44

FI (3件)：

H01L21/205 , H01L21/302 101H , C23C16/44 J

Fターム (25件)：

4K030DA06 , 4K030GA02 , 4K030GA05 , 4K030KA39 , 4K030KA41 , 5F004AA15 , 5F004BA18 , 5F004BA19 , 5F004BD04 , 5F004CA00 , 5F004CA01 , 5F004DA24 , 5F004DA29 , 5F004DB01 , 5F004EA34 , 5F045AB02 , 5F045AC01 , 5F045AC13 , 5F045AD16 , 5F045BB08 , 5F045DP16 , 5F045DP27 , 5F045EB06 , 5F045EK12 , 5F045GB15

引用特許：

審査官引用 (8件)

気相成長方法及び気相成長装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-189353 出願人：株式会社ニューフレアテクノロジー
反応容器のクリーニング方法及び成膜装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-337082 出願人：東京エレクトロン株式会社
半導体製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-061150 出願人：株式会社ニューフレアテクノロジー

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