特許
J-GLOBAL ID：201203048708540203

半導体製造装置

発明者：
三谷 慎一

三谷 慎一 について

, 
津守 利郎

津守 利郎 について

, 
鈴木 邦彦

鈴木 邦彦 について


出願人/特許権者：
株式会社ニューフレアテクノロジー

株式会社ニューフレアテクノロジー について


代理人 (2件)： 大阿久 敦子 ,  山下 一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-061150
公開番号（公開出願番号）：特開2012-054528
出願日： 2011年03月18日
公開日（公表日）： 2012年03月15日
要約：
【課題】SiCエピタキシャル成長過程でサセプタに付着した膜を除去し、製造歩留まりを向上させることのできる半導体製造装置を提供する。【解決手段】サセプタSに載置されるウェハW上にSiCエピタキシャル膜を形成する成膜室2と、サセプタSが搬送される搬送用ロボット17を有する搬送室4を介して成膜室2に連結され、サセプタSに付着したSiC膜を除去するクリーニング室5とを有する。クリーニング5室は、サセプタSを400°C以上の温度で加熱するヒータ208と、サセプタSの上方からエッチングガスを供給してSiC膜を除去するエッチングガス供給手段とを備える。クリーニング室5は、サセプタSの表面にSiC膜を形成する再生室を兼ねる。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
サセプタに載置されるウェハ上にSiCエピタキシャル膜を形成する成膜室と、 前記サセプタに付着したSiC膜を除去するクリーニング室と、 前記サセプタの表面にSiC膜を形成する再生室とを有することを特徴とする半導体製造装置。
IPC (2件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/44
FI (2件)：
H01L21/205 ,  C23C16/44 J
Fターム (39件)：
4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA17 ,  4K030BA37 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA06 ,  4K030FA10 ,  4K030KA02 ,  4K030KA23 ,  4K030KA26 ,  4K030KA49 ,  4K030LA15 ,  5F045AA06 ,  5F045AB06 ,  5F045AC03 ,  5F045AC05 ,  5F045AC07 ,  5F045AC15 ,  5F045AD18 ,  5F045AE09 ,  5F045AF02 ,  5F045BB08 ,  5F045DP03 ,  5F045DP28 ,  5F045DQ10 ,  5F045DQ17 ,  5F045EB06 ,  5F045EF05 ,  5F045EF15 ,  5F045EJ04 ,  5F045EK07 ,  5F045EM02 ,  5F045EM09 ,  5F045EN04 ,  5F045EN05 ,  5F045HA13 ,  5F045HA24
引用特許：
審査官引用 (11件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM