特許
J-GLOBAL ID：201603021185985154
シリコン単結晶の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
好宮 幹夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-108730
公開番号（公開出願番号）：特開2014-227321
特許番号：特許第5974974号
出願日： 2013年05月23日
公開日（公表日）： 2014年12月08日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 メインチャンバー内に石英ルツボを配設し、該石英ルツボを挟んで対向配備した磁場印加装置によって、石英ルツボ内に収容したシリコン融液に水平磁場を印加しつつ、シリコン融液からシリコン単結晶を引上げて製造するシリコン単結晶の製造方法であって、
前記引上げるシリコン単結晶を直径が300mm以上のものとし、
前記メインチャンバー内に導入されるガスの流れを整えるためのガス整流筒を前記引上げるシリコン単結晶を囲繞するようにシリコン融液面の上方に配設するとともに、該ガス整流筒のシリコン融液面側に遮熱部材を配設し、かつ、
前記遮熱部材の最内径部分の最下端部と、前記シリコン融液面において前記最下端部から垂直位置にあたる部分からなる断面積Sを通過するガスの流速v(m/s)と、前記引上げるシリコン単結晶の結晶回転数R(rpm)とが、v≦-0.12R+1.52の関係式を満たすように、前記ガスの流速vおよび前記結晶回転数Rを制御しつつシリコン単結晶を製造することで、直胴部において、コーン部から20cm以降の部位の酸素濃度を狙い値に対して±0.8ppma(JEIDA)以内に制御することを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
IPC (2件)：
C30B 29/06 ( 200 6.01)
, C30B 15/00 ( 200 6.01)
C30B 29/06 502 H
, C30B 29/06 502 G
, C30B 15/00 Z
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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