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J-GLOBAL ID：201702216995999275   整理番号：17A1374948

サブ大気圧プラズマを用いたSiC基板の高能率裏面薄化における加工速度の面内均一性

著者 (5件)： 向井莉紗 (大阪大 大学院工学研究科) ,  井上裕貴 (大阪大 大学院工学研究科) ,  松山智至 (大阪大 大学院工学研究科) ,  山内和人 (大阪大 大学院工学研究科) ,  佐野泰久 (大阪大 大学院工学研究科)
資料名： 精密工学会大会学術講演会講演論文集  (精密工学会大会シンポジウム資料集)
巻： 2017  号： 秋季(CD-ROM)  ページ： ROMBUNNO.M24  発行年： 2017年09月05日 
JST資料番号： Y0914A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： SiCデバイス製造時の裏面薄化工程においてサブ大気圧プラズマを用いたプラズマエッチング法を検討している。現在,数kPa程度まで減圧にすることで分子1個当たりに与えられるエネルギーが増加した結果,SF₆濃度100%の条件でも安定したプラズマ加工が実現し,2インチSiCウエハ全面薄化加工速度15.2μm/minを達成した。実用化に向けて加工後の厚さの均一性が要求されるため,本研究では加工速度の面内均一性について検討する。(著者抄録)

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  *ウエハ【IC】 ,  *大気プラズマ ,  *高速度 ,  *プラズマエッチング ,  *加工速度 ,  *均一性 ,  硬度 ,  脆性 ,  *半導体プロセス ,  裏面 ,  フッ化硫黄 ,  *プラズマ加工 ,  密度 ,  比率
準シソーラス用語： サブ大気圧プラズマ ,  高硬度 ,  ラジカル密度 ,  材料除去率 ,  *面内均一性 ,  PCVM

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  特殊加工  (QC04000Y)

引用文献 (3件)：

• 森勇藏 他,精密工学会誌 66,1280 (2000)
• 井上裕貴 他,精密工学会 2016年度関西地方定期学術講演会講演論文集 60-61
• 向井莉紗 他, 精密工学会 2017年度関西地方定期学術講演会講演論文集 68-69

タイトルに関連する用語 (6件)： サブ ,  大気圧プラズマ ,  SiC基板 ,  高能率 ,  加工速度 ,  均一性