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J-GLOBAL ID：201702246617406480   整理番号：17A1080104

極性半導体BiTeBrにおける圧力誘起相転移

Pressure-induced topological phase transition in the polar semiconductor BiTeBr

著者 (10件)： OHMURA Ayako (Niigata Univ., Niigata, JPN) ,  HIGUCHI Yuichiro (Niigata Univ., Niigata, JPN) ,  OCHIAI Takayuki (Niigata Univ., Niigata, JPN) ,  KANOU Manabu (Tokyo Inst. Technol., Kanagawa, JPN) ,  ISHIKAWA Fumihiro (Niigata Univ., Niigata, JPN) ,  NAKANO Satoshi (National Inst. Materials Sci. (NIMS), Ibaraki, JPN) ,  NAKAYAMA Atsuko (Niigata Univ., Niigata, JPN) ,  NAKAYAMA Atsuko (Iwate Univ., Morioka, JPN) ,  YAMADA Yuh (Niigata Univ., Niigata, JPN) ,  SASAGAWA Takao (Tokyo Inst. Technol., Kanagawa, JPN)
資料名： Physical Review. B  (Physical Review. B)
巻： 95  号： 12  ページ： 125203.1-125203.7  発行年： 2017年03月 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 2469-9950  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *半導体 ,  *テルル化物 ,  *ビスマス化合物 ,  *臭化物 ,  *相転移 ,  電気抵抗率 ,  バンド構造
準シソーラス用語： *極性半導体 ,  テルル化ビスマス ,  圧力誘起相転移

分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  相転移・臨界現象一般  (BL04010V)

タイトルに関連する用語 (2件)： 極性半導体 ,  圧力誘起相転移