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J-GLOBAL ID：201702261919035382   整理番号：17A0776924

集光型コヒーレント回折イメージング法によるEUVマスク上の欠陥評価法の開発

Development of an EUV Microscope with Focused Coherent EUV based on Coherent Diffraction Imaging Method for Defect Evaluation on an EUV Mask

著者 (3件)： 原田哲男 (兵庫県立大学高度産業科学技術研究所 EUVリソグラフィー研究開発センター) ,  橋本拓 (兵庫県立大学高度産業科学技術研究所 EUVリソグラフィー研究開発センター) ,  渡邊健夫 (兵庫県立大学高度産業科学技術研究所 EUVリソグラフィー研究開発センター)
資料名： 電気学会論文誌 A  (IEEJ Transactions on Fundamentals and Materials)
巻： 137  号： 5  ページ： 260-264(J-STAGE)  発行年： 2017年 
JST資料番号： S0808A  ISSN： 0385-4205  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 筆者らは,集光型コヒーレント回折イメージング(CDI)法によるEUV顕微鏡を開発してきた。本論文では,本顕微鏡によるEUVマスク上の欠陥評価について述べた。本顕微鏡を用いて,EUVリソグラフィー用のフォトマスク上の欠陥の強度と位相コントラスト像を測定できた。また,EUVマスクで生じる実際の欠陥を観察し,AFMの画像と同様の形状を像再生できた。また,その位相分布より欠陥特性を評価でき,強度欠陥か位相欠陥か評価でき,強度欠陥か位相欠陥か分類できた。

シソーラス用語： *真空紫外線 ,  *フォトリソグラフィー ,  *フォトマスク ,  コヒーレント光 ,  *画像技術 ,  画像処理 ,  *コントラスト ,  光回折 ,  *欠陥検査 ,  原子間力顕微鏡 ,  顕微鏡観察 ,  画像再生 ,  位相測定
準シソーラス用語： *EUVリソグラフィー ,  EUVマスク ,  *コヒーレントX線回折イメージング ,  タイコグラフィ

著者キーワード (10件)： 極端紫外線 ,  EUVリソグラフィー ,  コヒーレント回折イメージング ,  タイコグラフィー ,  欠陥観察 ,  extreme ultraviolet ,  EUV lithography ,  coherent diffraction imaging ,  ptychography ,  defect observation

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

引用文献 (15件)：

• (1) K. A. Goldberg, I. Mochi, S. B. Rekawa, N. S. Smith, J. B. Macdougall, and P. P. Naulleau : “An EUV Fresnel zoneplate mask-imaging microscope for lithography generations reaching 8 nm”, SPIE Proc., Vol. 7969, p. 796910 (2011)
• (2) Y. Tezuka, M. Ito, T. Terasawa, and T. Tomie : “Actinic detection of multilayer defects on EUV mask blanks using LPP light source and dark-field imaging”, SPIE Proc, Vol. 5374, pp. 271-280 (2004)
• (3) T. Haga, H. Takenaka, and M. Fukuda : “At-wavelength extreme ultraviolet lithography mask inspection using a Mirau interferometric microscope”, J. Vac. Sci. Technol. B, Vol. 18, No. 6, pp. 2916-2920 (2000)
• (4) M. Toyoda, K. Yamasoe, T. Hatano, M. Yanagihara, A. Tokimasa, T. Harada, T. Watanabe, and H. Kinoshita : “At-Wavelength Extreme Ultraviolet Lithography Mask Observation Using a High-Magnification Objective with Three Multilayer Mirrors”, Appl. Phys. Express, Vol. 5, p. 112501 (2012)
• (5) M. R. Weiss, D. Hellweg, J. H. Peters, S. Perlitz, A. Garetto, and M. Goldstein : “Actinic review of EUV masks: First results from the AIMS^TM EUV system integration”, SPIE Proc., Vol. 9048, p. 90480X (2014)

タイトルに関連する用語 (8件)： 集光 ,  コヒーレント ,  回折 ,  イメージング ,  EUVマスク ,  欠陥 ,  評価法 ,  開発